三星电子株式会社金恩知获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件及半导体封装件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112242379B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010676514.4，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权半导体器件及半导体封装件是由金恩知;赵星东;朴光郁;朴相俊;李大硕;李学承设计研发完成，并于2020-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及半导体封装件在说明书摘要公布了：提供了一种半导体器件及半导体封装件。所述半导体器件包括具有有源表面的半导体衬底，半导体元件设置在所述有源表面上。层间绝缘膜设置在所述半导体衬底上。第一通路结构穿过所述半导体衬底。所述第一通路结构具有第一直径。第二通路结构穿过所述半导体衬底。所述第二通路结构具有大于所述第一直径的第二直径。所述第一通路结构具有与所述层间绝缘膜接触的台阶部分。
本发明授权半导体器件及半导体封装件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 包括有源表面的半导体衬底； 设置在所述有源表面上的半导体元件； 设置在所述半导体衬底上的层间绝缘膜； 穿过所述半导体衬底的第一通路结构，所述第一通路结构具有第一直径；以及 穿过所述半导体衬底的第二通路结构，所述第二通路结构具有大于所述第一直径的第二直径， 其中，所述第一通路结构包括： 头部分，所述头部分在平行于所述半导体衬底的上表面的方向上具有第一宽度； 主体部分，所述主体部分在平行于所述半导体衬底的所述上表面的所述方向上具有第二宽度，其中，所述第二宽度小于所述第一宽度；和 台阶部分，所述台阶部分与所述层间绝缘膜接触，所述台阶部分设置在所述头部分与所述主体部分之间， 其中，所述头部分的下表面基本平行于所述半导体衬底的所述上表面， 其中，所述第二通路结构穿过所述半导体衬底中的器件隔离膜。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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