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龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利晶片的加工方法和切削装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112397381B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010800290.3，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权晶片的加工方法和切削装置是由杨云峰;植村祐二设计研发完成，并于2020-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶片的加工方法和切削装置在说明书摘要公布了：本发明提供晶片的加工方法和切削装置，即使是沿着外周缘进行了切削的晶片，也能够在下一工序中定位成规定的朝向。晶片的加工方法包含如下的步骤：保持工作台准备步骤，准备形成有与晶片的凹口对应的退刀部的保持工作台；保持步骤，使晶片的凹口与保持工作台的退刀部对应而利用保持工作台对晶片进行保持；小径化步骤，在将切削刀具的前端定位于比保持工作台的保持面靠下方的位置的状态下利用切削刀具沿着晶片的外周缘对晶片进行切削而使晶片小径化，从而将切除部的至少一部分去除；以及切除部形成步骤，利用切削刀具沿着保持工作台的退刀部在厚度方向上对晶片进行切削，在晶片上形成第2凹口。

本发明授权晶片的加工方法和切削装置在权利要求书中公布了：1.一种晶片的加工方法，利用切削刀具沿着外周缘对呈圆形并且具有表示晶体取向的第1切除部的晶片进行切削而使该晶片小径化，该第1切除部是圆弧的一部分被切除而得的，其中， 该晶片的加工方法具有如下的步骤： 保持工作台准备步骤，准备保持工作台，该保持工作台具有对晶片进行保持的圆形的保持面并且形成有与所保持的晶片的该第1切除部对应的退刀部，并且，该保持工作台的直径比小径化前的晶片的直径小； 保持步骤，在该保持工作台准备步骤之后，使晶片的该第1切除部与该保持工作台的该退刀部对应，并且将该晶片的外周缘在整周范围内定位于比该保持工作台的外周缘靠外周侧的位置而利用该保持工作台对晶片进行保持，该保持工作台的该保持面的直径与小径化后的晶片的直径对应； 小径化步骤，在实施了该保持步骤之后，在将该切削刀具的前端定位于比该保持工作台的该保持面靠下方的位置的状态下使该保持工作台沿着水平方向向接近该切削刀具的方向移动而使该切削刀具切入该晶片的外周缘，使该保持工作台绕与铅垂方向平行的旋转轴旋转，利用该切削刀具沿着晶片的外周缘对晶片进行切削而使晶片小径化，从而将该第1切除部的至少一部分去除；以及 切除部形成步骤，利用该切削刀具沿着该保持工作台的该退刀部在厚度方向上对晶片进行切削，在晶片上形成第2切除部。

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