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龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利封装的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112397448B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010812750.4，技术领域涉及：H01L21/78；该发明授权封装的制造方法是由钟伟杰设计研发完成，并于2020-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本封装的制造方法在说明书摘要公布了：提供封装的制造方法，能够降低器件晶片破损的可能性。封装的制造方法具有如下的步骤：器件晶片准备步骤ST1，准备器件晶片；槽形成步骤ST2，从器件晶片的正面沿着分割预定线形成达到器件芯片的完工厚度的深度的槽；正面密封步骤ST3，利用密封材料将器件晶片的正面密封并利用密封材料填充槽；背面磨削步骤ST5，对器件晶片的与器件区域对应的背面进行磨削而形成到达槽的深度的凹部，并形成围绕凹部的与外周剩余区域对应的环状凸部；背面密封步骤ST7，在凹部中填充密封材料来进行密封；以及分割步骤ST9，从器件晶片的正面沿着槽形成宽度比槽窄的分割槽，对器件晶片进行分割而形成器件芯片被密封材料密封的多个封装。

本发明授权封装的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种封装的制造方法，该封装是利用密封材料密封器件芯片而得的，其中， 该封装的制造方法具有如下的步骤： 器件晶片准备步骤，准备器件晶片，该器件晶片具有如下的正面：该正面具有在由交叉的多个分割预定线划分的区域中分别形成有具有突起电极的器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域； 槽形成步骤，从该器件晶片的正面沿着该分割预定线形成达到器件芯片的完工厚度的深度的槽； 正面密封步骤，在实施了该槽形成步骤之后，利用密封材料将该器件晶片的该正面密封并且利用该密封材料填充该槽； 背面磨削步骤，在实施了该正面密封步骤之后，对该器件晶片的与该器件区域对应的背面进行磨削而形成达到该槽的深度的凹部，并且形成围绕该凹部的与该外周剩余区域对应的环状凸部； 金属膜形成步骤，在该凹部的底部形成金属膜； 背面密封步骤，在实施了该背面磨削步骤和该金属膜形成步骤之后，在该凹部中填充密封材料来进行密封；以及 分割步骤，在实施了该背面密封步骤之后，从该器件晶片的该正面沿着该槽形成宽度比该槽窄的分割槽，对该器件晶片进行分割而形成器件芯片被密封材料密封的多个封装， 通过该封装的制造方法制造出如下的封装：该封装具有在基板的背面形成有该金属膜的该器件芯片和对该器件芯片的该器件的正面、该器件芯片的侧面以及该金属膜进行包覆并且使该突起电极的端部露出的该密封材料。

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