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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利具有改进的鲁棒性的碳化硅功率器件和对应的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112599607B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011070472.6，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权具有改进的鲁棒性的碳化硅功率器件和对应的制造方法是由S·拉斯库纳;C·基布阿罗;A·瓜尔内拉;M·G·萨吉奥;F·利齐奥设计研发完成，并于2020-10-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有改进的鲁棒性的碳化硅功率器件和对应的制造方法在说明书摘要公布了：本公开的各实施例涉及具有改进的鲁棒性的碳化硅功率器件和对应的制造方法。一种电子功率器件包括碳化硅SiC的衬底，该衬底具有前表面和后表面，该前表面和后表面位于水平面中，并且沿着横向于该水平面的竖直轴线彼此相对。衬底包括有源区和边缘区，该有源区中设置有多个掺杂区域，该边缘区是非有源的，与有源区不同并且围绕有源区。至少在边缘区中，介电区域被布置在前表面上方。钝化层被布置在衬底的前表面上方，并且在边缘区中与介电区域接触。钝化层包括至少一个锚固区域，这些锚固区域在边缘区处延伸穿过介电区域的厚度，以便限定用于钝化层的机械锚固。

本发明授权具有改进的鲁棒性的碳化硅功率器件和对应的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电子功率器件，包括： 碳化硅SiC的衬底，具有前表面和后表面，所述前表面和所述后表面位于水平面中，并且沿着横向于所述水平面的竖直轴线彼此相对，所述衬底包括有源区、以及围绕所述有源区的非有源的边缘区，多个掺杂区域在所述有源区中从所述前表面延伸到所述衬底中； 介电区域，至少在所述边缘区中在所述前表面之上； 钝化层，在所述衬底的所述前表面之上，所述钝化层在所述边缘区中与所述介电区域接触， 其中，所述钝化层包括至少一个锚固区域，所述至少一个锚固区域在所述边缘区处延伸穿过所述介电区域的厚度，并且所述至少一个锚固区域被配置为限定用于所述钝化层的机械锚固，并且 其中所述锚固区域包括： 第一部分，在所述介电区域内，并且沿着所述水平面的轴线具有第一宽度；以及 第二部分，沿着横向于所述水平面的所述竖直轴线覆盖在所述第一部分上，所述第二部分具有第二宽度，所述第二宽度沿着所述水平面的所述轴线小于所述第一宽度；以及 第一抵接元件和第二抵接元件，在所述第一部分上并且与所述第一部分直接接触，所述第一抵接元件和所述第二抵接元件横向地布置，并且被布置在所述第二部分的相对侧上。

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