美光科技公司卡迈勒·M·考尔道获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利存储器单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112802844B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110220052.X，技术领域涉及：H10B53/30；该发明授权存储器单元是由卡迈勒·M·考尔道;陶谦;杜赖·维沙克·尼马尔·拉马斯瓦米;刘海涛;柯尔克·D·普拉尔;阿绍尼塔·A·恰范设计研发完成，并于2016-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器单元在说明书摘要公布了：本发明揭示一种存储器单元，其包含选择装置及与所述选择装置串联电耦合的电容器。所述电容器包含两个导电电容器电极，其具有介于其之间的铁电材料。所述电容器具有从所述电容器电极中的一者穿过所述铁电材料而到另一电容器电极的本征电流泄漏路径。存在从所述一个电容器电极到所述另一电容器电极的平行电流泄漏路径。所述平行电流泄漏路径电路平行于所述本征路径，且具有比所述本征路径低的总电阻。本发明揭示其它方面。
本发明授权存储器单元在权利要求书中公布了：1.一种存储器单元，其包括： 选择装置；及 电容器，其耦合到所述选择装置，所述电容器包括第一电极和第二电极，所述电容器具有在所述第一电极和所述第二电极之间穿过铁电材料的第一电流泄漏路径，所述第一电流泄漏路径具有第一总电阻，所述电容器具有在所述第一电极和所述第二电极之间穿过主要由非晶硅组成的区域的第二电流泄漏路径，所述第二电流泄漏路径具有小于所述第一总电阻的第二总电阻，所述铁电材料包括从由锆、氧化锆、铪、钛酸锶钡、HfxSiyOz及HfxZryOz构成的组中选出的一或多种材料，其中所述一或多种材料任选地掺杂有掺杂物，所述掺杂物包括由硅、铝、钙、镁、锶及稀土元素构成的组中的一或多者，其中所述第二电流泄漏路径具有在所述第一电极和所述第二电极之间的所述铁电材料的最小厚度的5％内的最小长度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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