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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利集成电路装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112820730B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011210730.6，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权集成电路装置是由宋在烈;吴承河;金洛焕;朴珉正;李东洙设计研发完成，并于2020-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成电路装置在说明书摘要公布了：一种集成电路IC装置包括位于衬底上的第一鳍型有源区域和第二鳍型有源区域。设置了多个第一半导体图案，其堆叠在所述第一鳍型有源区域上作为第一FINFET的多个间隔开的第一沟道区域。设置了多个第二半导体图案，其堆叠在所述第二鳍型有源区域上作为第二FINFET的多个间隔开的第二沟道区域。第一栅极结构设置在所述多个第一半导体图案上。该第一栅极结构包括第一材料区域，其至少部分地填充所述多个间隔开的第一沟道区域之间的空间。此外，第二栅极结构设置在所述多个第二半导体图案上。所述第二栅极结构包括第二材料区域和第三材料区域，其至少部分地填充所述多个间隔开的第二沟道区域之间的空间。

本发明授权集成电路装置在权利要求书中公布了：1.一种集成电路装置，包括： 第一鳍型半导体有源区域和第二鳍型半导体有源区域，位于衬底上； 多个第一半导体图案，所述多个第一半导体图案堆叠在所述第一鳍型有源区域上作为具有第一阈值电压的第一鳍式场效应晶体管的多个间隔开的第一沟道区域； 多个第二半导体图案，所述多个第二半导体图案堆叠在所述第二鳍型有源区域上作为具有与所述第一阈值电压不同的第二阈值电压的第二鳍式场效应晶体管的多个间隔开的第二沟道区域； 第一栅极结构，所述第一栅极结构位于所述多个第一半导体图案上，所述第一栅极结构包括第一导电材料区域，所述第一导电材料区域至少部分地填充所述多个间隔开的第一沟道区域之间的空间并且围绕所述多个间隔开的第一沟道区域中的每一者；以及 第二栅极结构，所述第二栅极结构位于所述多个第二半导体图案上，所述第二栅极结构包括第二导电材料区域和第三导电材料区域，所述第二导电材料区域和所述第三导电材料区域至少部分地填充所述多个间隔开的第二沟道区域之间的空间， 其中，所述第二导电材料区域围绕所述多个间隔开的第二沟道区域中的每一者； 其中，所述第三导电材料区域围绕所述多个间隔开的第二沟道区域中的每一者，并且围绕所述第二导电材料区域； 其中，所述第三导电材料区域的功函数小于所述第一导电材料区域的功函数并且小于所述第二导电材料区域的功函数；并且 其中，所述第二导电材料区域中的氧含量百分比超过所述第一导电材料区域中的氧含量百分比。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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