瑞萨电子株式会社久保俊次获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞萨电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112992852B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011386134.3，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权半导体器件是由久保俊次;安藤公一;井尾英治;田岛英幸;饭田哲也设计研发完成，并于2020-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括基座构件、多层布线层和第一电阻元件。多层布线层被形成在基座构件上。第一电阻元件被形成在多层布线层中。第一电阻元件包括第一导电部分、第二导电部分和第三导电部分。第二导电部分被形成在第一导电部分之上。第三导电部分将第一导电部分和第二导电部分彼此电连接。第三导电部分在沿基座构件的表面的第一方向上的长度，大于第三导电部分在沿基座构件的表面的第二方向上的长度，并且第二方向垂直于第一方向。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 基座构件； 多层布线层，形成在所述基座构件上； 第一电阻元件，形成在所述多层布线层中；以及 散热部分， 其中所述第一电阻元件包括： 第一导电部分； 第二导电部分，形成在所述第一导电部分之上；以及 第三导电部分，将所述第一导电部分和所述第二导电部分彼此电连接， 其中所述第三导电部分在沿所述基座构件的表面的第一方向上的长度大于所述第三导电部分在沿所述基座构件的所述表面的第二方向上的长度，并且所述第二方向垂直于所述第一方向， 其中所述散热部分的一部分被形成在所述多层布线层中， 其中所述散热部分的其余部分被形成在所述基座构件中， 其中所述散热部分包括： 第一绝缘膜，形成在凹陷部分的底表面和侧表面上，所述凹陷部分形成在所述基座构件的所述表面上；以及 第一热传导部分，形成在所述第一绝缘膜上，使得所述第一热传导部分掩埋所述凹陷部分，并且 其中所述散热部分包括第二热传导部分，所述第二热传导部分形成在所述多层布线层中，使得所述第二热传导部分与所述第一电阻元件间隔开、并且与所述第一热传导部分连接。
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