台湾积体电路制造股份有限公司梁顺鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利用于形成半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113013100B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011292567.2，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权用于形成半导体器件的方法是由梁顺鑫;王振翰;林耕竹;上野哲嗣;陈婷婷设计研发完成，并于2020-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于形成半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于形成半导体器件的方法，该方法包括在相应的第一端子和第二端子的第一侧壁和第二侧壁之间形成开口。第一侧壁和第二侧壁彼此相对。该方法还包括以第一沉积速率在开口的顶部上沉积第一介电材料，以及以第二沉积速率在第一介电材料上以及在第一侧壁和第二侧壁上沉积第二介电材料。第二介电材料以及第一侧壁和第二侧壁截留气袋。该方法还包括对第二介电材料执行处理工艺。
本发明授权用于形成半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成半导体器件的方法，包括： 在相应的第一端子和第二端子的第一侧壁和第二侧壁之间形成开口，其中，所述第一侧壁和所述第二侧壁彼此相对； 以第一沉积速率在所述开口的顶部上沉积第一介电材料，其中，所述开口的顶部具有圆形拐角，其中，所述第一介电材料的拐角部分使所述圆形拐角的弯曲表面轮廓化； 对所述第一介电材料执行氢退火工艺，以在所述第一介电材料中形成附加Si-C-Si键； 以第二沉积速率在所述第一介电材料上以及在所述第一侧壁和所述第二侧壁上沉积第二介电材料，其中，所述第二介电材料的拐角部分形成在所述第一介电材料的拐角部分上，并且其中，所述第二介电材料延伸超出所述第一介电材料以与所述第一侧壁和所述第二侧壁直接接触，并且所述第二介电材料以及所述第一侧壁和所述第二侧壁截留气袋；以及 对所述第二介电材料执行氧处理工艺，其中，在所述氧处理工艺期间，所述第二介电材料中的部分Si-C-Si键变成Si-O-Si键，在所述氧处理工艺之后，所述第二介电材料的氧原子含量大于所述第一介电材料的氧原子含量，其中，执行所述氧处理工艺包括在所述氧处理工艺期间使所述第二介电材料膨胀并且在所述第二介电材料的相邻拐角部分之间的缝隙处形成附加键合。
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