爱思开海力士有限公司韩在贤获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利具有铁电层的非易失性存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113035875B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010651872.X，技术领域涉及：H10B53/30；该发明授权具有铁电层的非易失性存储器件是由韩在贤;李在吉;刘香根;李世昊设计研发完成，并于2020-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有铁电层的非易失性存储器件在说明书摘要公布了：根据实施例的非易失性存储器件包括具有上表面的衬底以及设置在衬底上方的栅极结构。栅极结构包括沿垂直于上表面的第一方向交替层叠的至少一个栅电极层图案与至少一个栅极绝缘层图案。栅极结构在垂直于第一方向的第二方向上延伸。非易失性存储器件包括被设置在栅极结构的一个侧壁表面的至少一部分上的铁电层。栅极结构的一个侧壁表面形成基本平行于第一方向和第二方向的平面。非易失性存储器件包括：沟道层，其设置在铁电层上；以及源电极结构和漏电极结构，其被设置为与沟道层接触并且在第二方向上彼此间隔开。
本发明授权具有铁电层的非易失性存储器件在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器件，包括： 衬底，其具有上表面； 栅极结构，其设置在所述衬底上方，所述栅极结构包括沿着垂直于所述上表面的第一方向交替层叠的至少一个栅电极层图案与至少一个栅极绝缘层图案，其中，所述栅极结构在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸； 铁电层，其设置在所述衬底上方并且被设置在所述栅极结构的一个侧壁表面的至少一部分上，其中，所述栅极结构的所述一个侧壁表面形成基本平行于所述第一方向和所述第二方向的平面； 沟道层，其设置在所述衬底上方并且被设置在所述铁电层上；以及 源电极结构和漏电极结构，二者在所述第二方向上彼此间隔开，各自设置在所述衬底上方并且被设置为与所述沟道层接触， 其中，所述非易失性存储器件还包括在所述沟道层的一些部分中形成的导电沟道， 其中，所述导电沟道沿所述第二方向延伸，以在所述衬底上方电连接所述源电极结构和所述漏电极结构， 其中，所述铁电层和所述沟道层分别通过所述栅极绝缘层图案在所述第一方向上分隔，以及 其中，所述铁电层和所述沟道层沿所述栅极结构的所述侧壁表面在所述第一方向上不连续地设置。
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