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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113130479B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010280457.8，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权半导体结构及其制作方法是由施宏霖;刘珀玮;杨宗谕;吴云骥设计研发完成，并于2020-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本揭露实施例是有关于一种半导体结构及其制作方法。一种半导体结构可包括：高电压区；第一深沟沟槽隔离结构，使半导体结构的高电压区与多个低电压区电绝缘；及第二深沟沟槽隔离结构，使半导体结构的高电压区与多个低电压区电绝缘。第一深沟沟槽隔离结构可包括多个介电性侧壁间隔件及位于介电性侧壁间隔件之间的导电性填充材料部分。第二深沟沟槽隔离结构可仅包含至少一种介电材料且可包括介电性深沟沟槽填充结构，所述介电性深沟沟槽填充结构具有与所述多个介电性侧壁间隔件相同的材料组成且具有大于介电性侧壁间隔件的侧向厚度且小于介电性侧壁间隔件的侧向厚度的两倍的侧向厚度。

本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 至少一个第一半导体器件，垂直位于第一半导体衬底材料部分上，所述第一半导体衬底材料部分位于高电压区中； 至少一个第二半导体器件，垂直位于第二半导体衬底材料部分上，所述第二半导体衬底材料部分位于所述高电压区之外； 第一深沟沟槽隔离结构，所述第一深沟沟槽隔离结构侧向上环绕所述第一半导体衬底材料部分且使所述第一半导体衬底材料部分与所述第二半导体衬底材料部分电绝缘，其中所述第一深沟沟槽隔离结构具有第一宽度，其中所述第一深沟沟槽隔离结构包括多个介电性侧壁间隔件、位于所述多个介电性侧壁间隔件之间的导电性填充材料部分及位于所述第一深沟沟槽隔离结构的多个侧壁与所述多个介电性侧壁间隔件中的相应一个介电性侧壁间隔件之间的多个第一共形扩散阻挡层，其中所述多个第一共形扩散阻挡层延伸至所述多个介电性侧壁间隔件中的相应一个的底部而与所述导电性填充材料部分的侧壁相接触；以及 第二深沟沟槽隔离结构，使所述第一半导体衬底材料部分与所述第二半导体衬底材料部分电绝缘，并且在侧向上环绕所述第一半导体衬底材料部分且在侧向上被所述第一深沟沟槽隔离结构环绕，其中所述第二深沟沟槽隔离结构具有第二宽度，并且所述第一宽度大于所述第二宽度，其中所述第二深沟沟槽隔离结构包括介电性填充材料部分及位于所述第二深沟沟槽隔离结构的多个侧壁与所述介电性填充材料部分之间的第二共形扩散阻挡层，其中所述第二共形扩散阻挡层连续地延伸于所述介电性填充材料部分的侧壁与底部。

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