株式会社迪思科能丸圭司获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利晶片加工方法和晶片加工装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113178415B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110060823.3，技术领域涉及：H01L21/78；该发明授权晶片加工方法和晶片加工装置是由能丸圭司设计研发完成，并于2021-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶片加工方法和晶片加工装置在说明书摘要公布了：本发明提供晶片加工方法和晶片加工装置，不检测应分割的区域的上表面高度而高效地将晶片分割成各个芯片。将晶片分割成各个芯片的晶片加工方法包含如下工序：热应力波生成工序，从卡盘工作台所保持的晶片的上表面向应分割的区域照射对于晶片具有吸收性的波长的脉冲激光光线而生成热应力波，使热应力波在应分割的区域的内部传播；和破碎层形成工序，按照在热应力波生成工序中生成的热应力波以与晶片的材质对应的音速在内部传播而到达应生成分割起点的深度位置的时间从晶片的上表面照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线，在因热应力波的拉伸应力使带隙变窄的区域中产生具有透过性的波长的脉冲激光光线的吸收，从而形成作为分割起点的破碎层。
本发明授权晶片加工方法和晶片加工装置在权利要求书中公布了：1.一种晶片加工方法，将晶片分割成各个芯片，其中， 该晶片加工方法具有如下的工序： 保持工序，将晶片保持于卡盘工作台； 热应力波生成工序，从该卡盘工作台所保持的该晶片的上表面向应分割的区域照射对于该晶片具有吸收性的波长的脉冲激光光线而生成热应力波，并使该热应力波在应分割的区域的内部传播； 破碎层形成工序，按照在该热应力波生成工序中生成的热应力波以与该晶片的材质对应的音速在内部传播而到达应生成分割起点的深度位置的时间，从该晶片的上表面照射对于该晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线，在由于该热应力波的拉伸应力而使带隙变窄的区域中产生该具有透过性的波长的脉冲激光光线的吸收，从而形成作为分割起点的破碎层；以及 分割工序，以该破碎层为分割的起点而将该晶片分割成各个芯片。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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