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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113345892B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110530318.0，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体器件及其形成方法是由陈重辉设计研发完成，并于2021-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：公开了一种半导体结构，包括第一导线和第一电源轨以及布置在第一导线和第一电源轨之间的第一晶体管结构。第一导线和第一电源轨在第一方向上相互分离。第一晶体管结构包括通过第一通孔耦合到第一导线的第一有源区；以及第一有源区。第二有源区通过第二通孔耦合到第一电源轨；第一栅极结构，介于第一有源区和第二有源区之间，并被配置为接收第一控制信号。第一晶体管结构响应于第一控制信号在第一导线和第一电源轨之间传输信号。本发明的实施例还公开了一种半导体器件及其形成方法。

本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一导线和第一电源轨，在第一方向上相互分离，并且分别在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，所述第一方向是所述半导体器件的布局的法线方向；以及 第一晶体管结构，设置在所述第一导线和所述第一电源轨之间并且包括： 第一有源区，通过第一通孔耦合到所述第一导线，所述第一通孔在所述第一方向上与所述第一有源区重叠并且整体位于所述第一有源区上方； 第二有源区，通过第二通孔耦合到所述第一电源轨，所述第二通孔直接连接在所述第二有源区下面和所述第一电源轨上；和 第一栅极结构，介于所述第一有源区和所述第二有源区之间，并被配置为接收第一控制信号，所述第一晶体管结构被配置为响应于所述第一控制信号在所述第一导线和所述第一电源轨之间传输信号； 第二导线和第二电源轨，在所述第一方向上相互分离并且在所述第二方向上与所述第一导线和所述第一电源轨分离，其中，所述第二导线被配置为接收通过所述第一导线传输的所述信号；以及 第二晶体管结构，被配置为响应于不同于所述第一控制信号的第二控制信号在所述第二导线和所述第二电源轨之间传输信号，并且布置在所述第二导线和所述第二电源轨之间，所述第二晶体管结构，包括： 第三有源区，通过第三通孔耦合到所述第二导线； 第四有源区，通过第四通孔耦合到所述第二电源轨；和 第二栅极结构，介于所述第三有源区和所述第四有源区之间，并且被配置为接收所述第二控制信号，其中，所述第一控制信号是浮置的，其中，在所述第一方向上，所述第二电源轨和所述第一电源轨位于同一层。

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