台湾积体电路制造股份有限公司江国诚获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113380794B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110587617.8，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体器件及其形成方法是由江国诚;朱熙甯;陈冠霖;潘冠廷;王志豪设计研发完成，并于2021-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本文公开的栅极切割技术形成栅极隔离鳍，以在形成多栅极器件之前，特别是在形成多栅极器件的金属栅极之前，将多栅极器件的金属栅极彼此隔离。示例性器件包括：第一多栅极器件，具有第一源极漏极部件和围绕第一沟道层的第一金属栅极；以及第二多栅极器件，具有第二源极漏极部件和围绕第二沟道层的第二金属栅极。将第一金属栅极和第二金属栅极分隔开的栅极隔离鳍包括具有第一介电常数的第一介电层和设置在第一介电层上方的具有第二介电常数的第二介电层。第二介电常数小于第一介电常数。栅极隔离端帽可以设置在栅极隔离鳍上，以提供额外的隔离。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一多栅极器件，具有： 沟道区域的第一沟道层，设置在源极漏极区域的第一源极漏极部件之间，以及 第一金属栅极，围绕所述第一沟道层； 第二个多栅极器件，具有： 所述沟道区域的第二沟道层，设置在所述源极漏极区域的第二源极漏极部件之间，以及 第二金属栅极，围绕所述第二沟道层；以及 栅极隔离鳍，设置在所述第一金属栅极和所述第二金属栅极之间并且将所述第一金属栅极和所述第二金属栅极分隔开，其中，所述栅极隔离鳍包括： 第一介电层，具有第一介电常数，其中，所述第一介电层具有第一厚度的底部和第二厚度的侧壁部分，其中，所述第二厚度小于所述第一厚度，以及 第二介电层，设置在所述第一介电层上方，其中，所述第二介电层具有小于所述第一介电常数的第二介电常数， 其中，所述沟道区域中的所述栅极隔离鳍的宽度与所述源极漏极区域中的所述栅极隔离鳍的宽度不同。
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