伊文萨思粘合技术公司R·坎卡尔获国家专利权
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龙图腾网获悉伊文萨思粘合技术公司申请的专利密封的键合结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113785394B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080033098.4，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权密封的键合结构及其形成方法是由R·坎卡尔;A·R·西塔拉姆;L·W·米卡里米设计研发完成，并于2020-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本密封的键合结构及其形成方法在说明书摘要公布了：公开了一种键合结构。键合结构包括第一元件，该第一元件具有前侧和与前侧相对的背侧。第一元件在第一元件的前侧处具有第一导电焊盘和第一非导电场区。键合结构还包括第二元件，该第二元件具有在第二元件的前侧处的第二导电焊盘和第二非导电场区。第二导电焊盘沿着界面结构被键合到第一导电焊盘。键合结构还包括集成器件，该集成器件与第一元件或第二元件耦合或与第一元件或第二元件一起形成。键合结构还包括从第一元件的背侧延伸到界面结构的细长导电结构。细长导电结构在集成器件周围提供有效闭合轮廓。
本发明授权密封的键合结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种键合结构，包括： 第一元件，具有前侧和与所述前侧相对的背侧，所述第一元件具有在所述第一元件的前侧处的第一多个导电接触焊盘和第一非导电场区，所述第一非导电场区和所述第一多个导电接触焊盘被设置在所述第一元件的半导体区上； 第二元件，具有在所述第二元件的前侧处的第二多个导电接触焊盘和第二非导电场区，所述第二多个导电接触焊盘在没有中间粘合剂的情况下沿键合界面直接键合到所述第一多个导电接触焊盘，被直接键合的所述接触焊盘中的至少一些接触焊盘提供在所述第一元件与所述第二元件之间的电连通； 集成器件，被耦合到所述第一元件或所述第二元件，或者在所述第一元件或所述第二元件中形成；以及 横向细长导电结构，被设置在具有侧壁的沟槽中，所述侧壁从所述第一元件的所述背侧、通过所述半导体区和所述第一非导电场区并且跨所述键合界面延伸，所述横向细长导电结构在所述集成器件周围提供有效闭合轮廓。
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