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龙图腾网获悉上海韦尔半导体股份有限公司申请的专利一种CIS芯片异形栅极结构及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113838880B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111205779.7，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权一种CIS芯片异形栅极结构及制作方法是由伍建华;旷章曲;陈多金;王菁;龚雨琛;衷世雄;张富生设计研发完成，并于2021-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CIS芯片异形栅极结构及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种CIS芯片异形栅极结构及制作方法，包括设于衬底上的扎光二极管PPD和浮动扩散区FD，在靠近所述扎光二极管PPD的一侧设有宽度为L1、高度为h1的第一多晶硅栅极，在靠近所述浮动扩散区FD的一侧设有宽度为L2、高度为h2的第二多晶硅栅极；通过光刻和刻蚀工艺形成异形栅极，再通过离子注入在靠近PPD一边P型掺杂，靠近FD一侧进行N型掺杂，得到栅极两侧不同的阈值电压，阶梯状的沟道结构增加了沟道长度，阶梯连接处的电势由高到低分布有效减少栅极关断后沟道电子向PPD回流。

本发明授权一种CIS芯片异形栅极结构及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种CIS芯片异形栅极结构的制作方法，其特征在于： 所述CIS芯片异形栅极结构包括设于衬底上的扎光二极管PPD和浮动扩散区FD，在靠近所述扎光二极管PPD的一侧设有宽度为L1、高度为h1的第一多晶硅栅极，在靠近所述浮动扩散区FD的一侧设有宽度为L2、高度为h2的第二多晶硅栅极； 所述第一多晶硅栅极为P型掺杂，所述第二多晶硅栅极为N型掺杂； 所述宽度L1与L2相同或不相同，所述高度h1与h2不相同； 所述第一多晶硅栅极与第二多晶硅栅极的上表面平齐，所述第二多晶硅栅极的下表面与所述浮动扩散区FD的上表面平齐，所述第一多晶硅栅极的下表面向下深入到沟槽中； 所述的CIS芯片异形栅极结构的制作方法，包括步骤： A、在靠近所述扎光二极管PPD的一侧经过光刻和刻蚀得到沟槽，然后沉积栅极氧化层，再沉积厚度为2000Å的多晶硅，在所述沟槽对应的位置通过光刻和离子注入进行P型掺杂，所述沟槽的深度为0.02um，所述栅极氧化层的厚度为71.5Å； B、在靠近所述浮动扩散区FD的一侧通过光刻和离子注入进行N型掺杂； C、对于非栅极区域的多晶硅和氧化层，分别通过光刻和刻蚀去掉，再经过化学机械平坦化处理得到厚度为1450Å的多晶硅； D、经过氧化层沉积，氮化硅沉积，再由过刻蚀去掉表面氮化硅和氧化层，留下侧壁氧化层-氮化硅结构，最终得到所述异形栅极结构。

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