东京毅力科创株式会社舆水地盐获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利等离子体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113851367B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110664971.6，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权等离子体处理装置是由舆水地盐设计研发完成，并于2021-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体处理装置在说明书摘要公布了：本发明所公开的等离子体处理装置具备腔室、基板支承器、高频电源及偏置电源。高频电源为了生成等离子体而产生高频电力。偏置电源与基板支承器的偏置电极电连接，产生电偏置。搭载于基板支承器上的边缘环经由阻抗调节器接收电偏置的一部分，或接收其他电偏置。外圈相对于边缘环在径向上且在外侧延伸，接收高频电力的一部分或其他高频电力。
本发明授权等离子体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种等离子体处理装置，其具备： 腔室； 基板支承器，具有偏置电极； 高频电源，为了在所述腔室内由所述基板支承器支承的基板的上方生成等离子体，而产生供给至高频电极的高频电力；及 偏置电源，经由电路径与所述偏置电极连接， 搭载于所述基板支承器上的边缘环经由在所述偏置电极与该边缘环之间或所述电路径与所述边缘环之间提供可变阻抗的阻抗调节器与所述偏置电源电连接，或与其他偏置电源电连接， 相对于所述边缘环在径向上且在外侧延伸的外圈以接收所述高频电力的一部分的方式与所述高频电源电连接，或以接收其他高频电力的方式与其他高频电源电连接, 所述基板支承器具有基台及设置于该基台上的静电卡盘， 所述偏置电极设置于所述静电卡盘中， 所述基台提供作为所述高频电极的下部电极， 所述高频电源与所述下部电极电连接。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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