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龙图腾网获悉瑞萨电子株式会社申请的专利制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113903659B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111165239.0，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权制造半导体器件的方法是由吉原贵光;贝沼隆浩;冈浩伟设计研发完成，并于2016-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本发明的各个实施例涉及制造半导体器件的方法。提供了一种改进了半导体器件的制造效率的制造半导体器件的方法。该制造半导体器件的方法包括以下步骤：a在晶片半导体晶片的正表面侧处形成电路，该晶片具有正表面和与正表面相对的背表面；b按照中心部分比周缘部分更薄的方式，研磨晶片的背表面，该晶片具有中心部分第一部分和围绕中心部分的外围的周缘部分第二部分；c将保持胶带的上表面接合表面贴附至晶片的正表面；以及d在晶片由第一胶带保持的同时，通过用刀片旋转刀片切割中心部分的部分，来将中心部分与周缘部分分割开。

本发明授权制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤： a在半导体晶片的第一表面上形成电路，所述半导体晶片具有所述第一表面和与所述第一表面相对的第二表面； b研磨具有第一部分和包围所述第一部分的周围的第二部分的所述半导体晶片的所述第二表面，使得所述第一部分的厚度比所述第二部分的厚度更薄，所述第一部分具有多个芯片区域和设置在多个芯片区域之间的多个切割区域； c将第一胶带的接合表面贴附至所述半导体晶片的所述第一表面；以及 d在所述半导体晶片由所述第一胶带保持的同时，通过用与所述第一部分的所述第二表面接触的第一旋转刀片切割所述第一部分的部分，来将所述第一部分与所述第二部分分割开； e在所述步骤d之后，去除所述第二部分； f在所述第一胶带贴附至所述半导体晶片的情况下，将第二胶带的接合表面贴附至所述半导体晶片的所述第一部分的所述第二表面侧；以及 g在所述步骤f之后，将所述第一胶带从所述半导体晶片剥离； h在所述步骤g之后，在所述半导体晶片由所述第二胶带保持的同时，用与所述第一部分的所述第一表面侧接触的第二旋转刀片，沿着所述切割区域的各自延伸方向切割所述第一部分，从而将所述晶片分割为相应的芯片区域； 所述第一胶带包括第一基材和第一粘合层，所述第一粘合层设置在所述第一基材的一个表面处、并且贴附至所述半导体晶片的所述第一表面， 其中所述第二胶带包括第二基材和第二粘合层，所述第二粘合层设置在所述第二基材的一个表面处、并且贴附至所述半导体晶片的所述第一部分的所述第二表面，并且 其中所述第一粘合层比所述第二粘合层更厚； 所述步骤b为， b1使用第一研磨石对所述半导体晶片的所述第二表面进行研磨步骤， b2在所述步骤b1之后，使用具有比所述第一研磨石的研磨颗粒粒径更小的研磨颗粒粒径的第二研磨石对所述半导体晶片的所述第二表面进行研磨； 在所述步骤b完成后，在所述半导体晶片的所述第一部分与所述第二部分之间形成台阶部， 在所述步骤d中，所述第一旋转刀片的一部分与所述台阶部重叠。

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