台湾积体电路制造股份有限公司陈祥麟获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利图像传感器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948536B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110585730.2，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器及其形成方法是由陈祥麟;朱怡欣;廖英凯;江欣益;黄冠杰;施俊吉设计研发完成，并于2021-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开的各种实施例针对具有用于降低暗电流的钝化层的图像传感器。器件层覆盖衬底。此外，盖层覆盖器件层。盖层和器件层以及衬底是半导体材料，并且器件层具有比盖层和衬底小的带隙。例如，盖层和衬底可以是硅，而器件层可以是锗或包括锗。光电检测器位于器件层和盖层中，钝化层覆盖盖层。钝化层包括高k介电材料，并引起沿盖层的顶面的偶极矩的形成。本申请的实施例提供了图像传感器及其形成方法。
本发明授权图像传感器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，包括： 衬底； 器件层，覆盖所述衬底； 盖层，覆盖所述器件层，其中所述盖层和所述器件层是半导体材料，并且其中，所述盖层具有比所述器件层大的带隙； 光电检测器，包括位于所述器件层和所述盖层中的一对PIN二极管，所述一对PIN二极管包括导电类型相反的一对接触区域，所述盖层的顶面与所述一对接触区域的顶面共面；以及 钝化层，覆盖所述盖层的所述顶面，其中，所述钝化层引起沿所述盖层的所述顶面形成偶极矩。
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