上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司许博闻获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司申请的专利图像生成模型的训练方法及装置、图像的生成方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114004828B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111353672.7，技术领域涉及：G06T7/00；该发明授权图像生成模型的训练方法及装置、图像的生成方法及装置是由许博闻;时雪龙;李琛;燕燕;李立人设计研发完成，并于2021-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像生成模型的训练方法及装置、图像的生成方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种图像生成模型的训练方法及装置、图像的生成方法及装置，该图像生成模型的训练方法包括：获取第一SEM图像和训练工艺变化带宽图像；将该第一SEM图像输入图像生成模型的生成器，并以该训练工艺变化带宽图像为目标图像进行训练；根据该图像生成模型中的损失函数对该生成器进行迭代训练，直至输出的训练结果图像在坐标位置上的像素值与该训练工艺变化带宽图像在对应坐标位置的像素值满足预设的阈值条件。本发明通过在该图像生成模型输入特定工艺下的SEM图像，就可以获得在工艺窗口下的工艺变化带宽图像，便于研究曝光之后晶圆上图形的变化情况，并根据该变化情况，不断改善光刻工艺。
本发明授权图像生成模型的训练方法及装置、图像的生成方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种图像生成模型的训练方法，其特征在于，包括： 获取第一SEM图像和训练工艺变化带宽图像，所述第一SEM图像为在特定光刻聚焦值和曝光剂量矩阵条件下形成的SEM图像，所述特定光刻聚焦值和曝光剂量矩阵条件选自于半导体制造所需的最优光刻聚焦值和曝光剂量矩阵条件； 将所述第一SEM图像输入图像生成模型的生成器，并以所述训练工艺变化带宽图像为目标图像进行训练； 根据所述图像生成模型中的损失函数对所述生成器进行迭代训练，直至将所述第一SEM图像输入训练后的生成器，且输出的训练结果图像在坐标位置上的像素值与所述训练工艺变化带宽图像在对应坐标位置的像素值满足预设的阈值条件，则所述图像生成模型训练完成。
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