中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司呼翔获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利掩膜版、半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078751B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010849834.5，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权掩膜版、半导体结构及其形成方法是由呼翔设计研发完成，并于2020-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本掩膜版、半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种掩膜版、半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成栅极结构以及位于栅极结构一侧基底中的漏极；形成覆盖栅极结构以及漏极的介电层；刻蚀介电层，形成露出漏极的第一开口；刻蚀介电层和部分厚度的漏极，形成第二开口，第二开口与第一开口相交叉，且第二开口的底面低于第一开口的底面；在第一开口以及第二开口中形成导电层，位于第一开口中的导电层作为漏极插塞，位于第二开口中的导电层作为交叉插塞。本发明实施例，交叉插塞的侧壁与漏极接触，增大漏极与导电层的接触面积，降低漏极与导电层的导通电阻，提高半导体结构的电学性能。
本发明授权掩膜版、半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种掩膜版，用于形成半导体结构，所述半导体结构包括： 基底； 栅极结构，位于所述基底上； 漏极，位于所述栅极结构一侧的所述基底中； 介电层，位于所述栅极结构和漏极上； 第一开口，贯穿所述介电层，露出所述漏极； 所述掩膜版，其特征在于，包括：掩膜图形，所述掩膜图形包括第一图形，所述第一图形用于在所述介电层中形成露出所述漏极的第二开口，所述第二开口的延伸方向与所述第一开口的延伸方向在平行于所述基底表面的平面内相交，且所述第二开口的底面低于所述第一开口的底面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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