南亚科技股份有限公司康庭慈获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078810B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110935577.1，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权半导体结构及其制造方法是由康庭慈;丘世仰设计研发完成，并于2021-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构包括沟槽电容、堆叠电容、第一电极板及第二电极板。沟槽电容设置于基板中，其中沟槽电容包括第一导电结构和第一介电结构，其中第一导电结构接触该第一介电结构。堆叠电容包括第二导电结构及第二介电结构，第二导电结构接触第二介电结构，其中叠层电容沿着垂直于基板的上表面的轴向对齐沟槽电容，且第一导电结构电性连接第二导电结构。第一电极板电性连接第一介电结构及第二介电结构。第二电极板电性连接第一导电结构及第二导电结构。沟槽电容和堆叠电容并联连接而产生相当大的电容值，且沟槽电容和堆叠电容相互垂直对齐，因此所占据的空间非常小。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 沟槽电容，设置于基板中，其中该沟槽电容包括第一导电结构和第一介电结构，其中该第一导电结构接触该第一介电结构； 堆叠电容，包括第二导电结构及第二介电结构，该第二导电结构接触该第二介电结构，其中该堆叠电容沿着垂直于该基板的上表面的轴向对齐该沟槽电容，且该第一导电结构电性连接该第二导电结构； 第一电极板； 第二金属结构，接触该第一电极板和该第一介电结构； 第二电极板，电性连接该第一导电结构及该第二导电结构；以及 第三金属结构，接触该第一电极板及该第二介电结构，借此该沟槽电容及该堆叠电容并联连接于该第一电极板及该第二电极板之间。
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