三星电子株式会社姜命衫获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078830B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110754281.X，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权半导体封装是由姜命衫;高永璨;金廷锡;文炅燉;赵捧住设计研发完成，并于2021-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装在说明书摘要公布了：一种半导体封装包括：重分布基板，包括介电层和在介电层中的布线图案，布线图案包括：水平延伸的线部分及与线部分连接的通孔部分，通孔部分的宽度小于线部分的宽度；在重分布基板的顶表面上的钝化层，钝化层包括与介电层的材料不同的材料；导电柱，导电柱穿透钝化层，导电柱连接到通孔部分；以及连接端子，在导电柱的顶表面上，导电柱的顶表面与钝化层的顶表面之间的距离大于钝化层的厚度。
本发明授权半导体封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，包括： 重分布基板，包括介电层和在所述介电层中的布线图案；以及 包括芯片焊盘的半导体芯片，在所述重分布基板上， 其中，所述布线图案包括： 水平延伸的线部分，以及 与所述线部分连接的通孔部分，所述通孔部分的宽度小于所述线部分的宽度； 钝化层，在所述重分布基板的顶表面上，所述钝化层包括与所述介电层的材料不同的材料； 导电柱，所述导电柱穿透所述钝化层，所述导电柱与所述通孔部分直接接触，并且所述导电柱的顶表面与所述钝化层的顶表面之间的距离大于所述钝化层的厚度；以及 连接端子，设置在所述导电柱和所述芯片焊盘之间， 其中，所述通孔部分在所述线部分和所述导电柱的底表面之间，所述通孔部分的宽度随着距所述导电柱的底表面的距离减小而减小，以及 其中，所述线部分与所述钝化层间隔开。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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