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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体存储器装置及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141286B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110405081.3，技术领域涉及：G11C8/14；该发明授权半导体存储器装置及其操作方法是由李熙烈;崔永焕设计研发完成，并于2021-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储器装置及其操作方法在说明书摘要公布了：本文可以提供一种半导体存储器装置及其操作方法。该半导体存储器装置可以包括存储器单元阵列、外围电路和控制逻辑。存储器单元阵列包括多个存储器单元。外围电路对存储器单元执行读取操作。控制逻辑控制外围电路的读取操作。在读取操作期间，控制逻辑控制外围电路，使得向联接至存储器单元的多条字线当中的被选字线施加读取电压，向与被选字线相邻设置的未选字线施加第一通过电压，并且向未与被选字线相邻设置的未选字线施加第二通过电压。外围电路基于半导体存储器装置的温度来调整第一通过电压的幅度或第二通过电压的幅度。

本发明授权半导体存储器装置及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括： 存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括多个存储块，每个存储块包括多个存储器单元； 外围电路，该外围电路对所述多个存储器单元执行读取操作；以及 控制逻辑，该控制逻辑控制所述外围电路的所述读取操作， 其中，在所述读取操作期间，所述控制逻辑控制所述外围电路，使得向联接至被选存储块的所述多个存储器单元的多条字线当中的被选字线施加读取电压，向所述多条字线当中的与所述被选字线相邻设置的未选字线施加第一通过电压，并且向所述多条字线当中的未与所述被选字线相邻设置的未选字线施加第二通过电压，并且 其中，所述外围电路还基于所述半导体存储器装置的温度来调整所述第一通过电压的幅度或所述第二通过电压的幅度， 其中，所述外围电路包括： 电压发生器，该电压发生器生成所述读取电压、所述第一通过电压和所述第二通过电压； 地址解码器，该地址解码器基于经解码的块地址选择至少一个存储块，将所述读取电压、所述第一通过电压和所述第二通过电压分别传送到所述被选存储块的所述被选字线、所述被选存储块的与所述被选字线相邻设置的未选字线、以及所述被选存储块的未与所述被选字线相邻设置的未选字线； 读写电路，该读写电路感测联接至所述被选字线的存储器单元的阈值电压；以及 温度传感器，该温度传感器感测所述温度并基于所述温度生成温度码， 其中，所述电压发生器还基于所述温度码来调整所述第一通过电压的幅度或所述第二通过电压的幅度。

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