买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利图像传感器及图像传感器的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156299B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111547484.8，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器及图像传感器的形成方法是由王龙鑫;范晓;陈广龙;余航;向超设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本图像传感器及图像传感器的形成方法在说明书摘要公布了：一种图像传感器及其形成方法，结构包括：基底，基底包括第一面；位于基底第一面上的电容结构，电容结构包括第一电极层、位于第一电极层上的介电层以及位于介电层上的第二电极层；位于第一电极层上的第一插塞；位于第二电极层上的第二插塞；位于第一插塞上的第一顶层金属，第一顶层金属沿平行于基底表面方向上的宽度是第一插塞沿平行于基底表面方向上的宽度的两倍以上，第一顶层金属与像素区电连接；位于第二插塞上的第二顶层金属，第二顶层金属沿平行于基底表面方向上的宽度是第二插塞沿平行于基底表面方向上的宽度的两倍以上，第二顶层金属与外部电压电连接。所述第一插塞和第二插塞能够占用较小的面积，以满足小尺寸图像传感器的需求。

本发明授权图像传感器及图像传感器的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括第一面，所述基底包括像素区和浮置扩散区，所述像素区内具有感光结构，所述基底第一面暴露出所述感光结构和所述浮置扩散区表面； 位于基底第一面上的导电结构和介质结构，所述导电结构位于介质结构内； 位于导电结构上和介质结构上的电容结构，所述电容结构包括第一电极层、位于第一电极层上的介电层以及位于介电层上的第二电极层； 位于第一电极层上的第一插塞； 位于第二电极层上的第二插塞； 位于导电结构上的第四插塞，所述第四插塞与所述导电结构电连接； 位于第一插塞上和第四插塞上的第一顶层金属，所述第一顶层金属沿平行于基底表面方向上的宽度是第一插塞沿平行于基底表面方向上的宽度的两倍以上，所述第一顶层金属通过第四插塞和所述导电结构与所述浮置扩散区电连接； 位于第二插塞上的第二顶层金属，所述第二顶层金属沿平行于基底表面方向上的宽度是第二插塞沿平行于基底表面方向上的宽度的两倍以上，所述第二顶层金属与外部电压电连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。