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龙图腾网获悉常州鼎先电子有限公司申请的专利一种应用于SOI-FinFET工艺下的H型鳍硅结构ESD防护装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114267671B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111586865.7，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种应用于SOI-FinFET工艺下的H型鳍硅结构ESD防护装置是由姜一波;杨帆;邢红飞;孙丽丽;杜文汉设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于SOI-FinFET工艺下的H型鳍硅结构ESD防护装置在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域中的集成电路静电防护可靠性设计，具体为一种应用于SOI‑FinFET工艺下的H型鳍硅结构ESD防护装置；以SOI衬底为基础，制备得到纵向鳍硅、横向鳍硅、介质和栅电极；纵向鳍硅包含纵向鳍硅一和纵向鳍硅二；纵向鳍硅一包含第一类和第二类两种半导体类型的掺杂区域，纵向鳍硅二为第二类半导体类型，横向鳍硅为第二类半导体类型，纵向鳍硅一、纵向鳍硅二和横向鳍硅三者共同形成H型鳍硅结构且电学相连接，载流子控制区域仅为纵向鳍硅一、纵向鳍硅二和横向鳍硅的一部分；能够在SOI‑FinFET工艺下实施得到新型ESD防护装置，该装置不同于Bulk‑FinFET工艺相关静电防护技术中必须利用绝缘层下的衬底，为SOI‑FinFET工艺提供了一种良好的静电防护方法。

本发明授权一种应用于SOI-FinFET工艺下的H型鳍硅结构ESD防护装置在权利要求书中公布了：1.一种应用于SOI-FinFET工艺下的H型鳍硅结构ESD防护装置，其特征在于，包括：以SOI衬底为基础，制备得到纵向鳍硅、横向鳍硅、介质和栅电极；纵向鳍硅包含纵向鳍硅一和纵向鳍硅二；纵向鳍硅一包含第一类和第二类两种半导体类型的掺杂区域，纵向鳍硅二为第二类半导体类型，横向鳍硅为第二类半导体类型，纵向鳍硅一、纵向鳍硅二和横向鳍硅三者共同形成H型鳍硅结构且电学相连接，载流子控制区域仅为纵向鳍硅一、纵向鳍硅二和横向鳍硅的一部分；其中纵向鳍硅一中形成寄生ESD防护器件，纵向鳍硅二和横向鳍硅作为体引出固定第二类两种半导体类型的电位； 所述SOI衬底采用注氧隔离、键合法、SmartCurt标准工艺方法制备，纵向鳍硅与横向鳍硅相互垂直且电性连接； 介质为铪基氧化物的高K介质，栅电极为多晶硅栅和金属栅的复合栅极； 纵向鳍硅一包含第一类和第二类两种半导体类型的掺杂区域，经过沟道掺杂在纵向鳍硅位于介质正下方的区域形成适当第一类半导体类型掺杂的沟道区域；其中第一类半导体类型重掺杂的源漏区域经由介质自对准掺杂，在纵向鳍硅的两侧形成第一类半导体类型重掺杂的源漏区域，在纵向鳍硅位于介质正下方的区域形成适当第一类半导体类型掺杂的沟道区域；第一类半导体类型重掺杂区域形成欧姆接触，选择性的经过金属硅化物引出； 纵向鳍硅二为第二类半导体类型，经过沟道掺杂在纵向鳍硅位于介质正下方的区域形成适当第一类半导体类型掺杂的沟道区域，亦经由介质自对准掺杂，在纵向鳍硅二的两侧形成第二类半导体类型重掺杂的源漏区域；第二类半导体类型重掺杂区域形成欧姆接触，选择性的经过金属硅化物引出形成； 在平行于横向鳍硅且经过横向鳍硅的剖面上，载流子控制区域仅为纵向鳍硅一、纵向鳍硅二和横向鳍硅的一部分；在鳍硅内栅电极非控制区域内，纵向鳍硅一中形成NPN、PNP类型寄生BJT作为ESD防护器件，或寄生SCR作为ESD防护器件，纵向鳍硅二和横向鳍硅作为体引出固定寄生BJT的基区电位或寄生SCR的相应电位。

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