江阴长电先进封装有限公司徐霞获国家专利权
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龙图腾网获悉江阴长电先进封装有限公司申请的专利三维封装结构、半导体器件及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420658B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111342061.2，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权三维封装结构、半导体器件及封装方法是由徐霞;金豆;徐虹;陈栋;陈锦辉设计研发完成，并于2021-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维封装结构、半导体器件及封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了三维封装结构、半导体器件及封装方法，其中，三维封装结构包括：包括：第一芯片，正面设置有第一焊盘和形成在所述第一焊盘旁侧的芯片连接区；第二芯片，背面设置在所述芯片连接区上并在正面设置有第二焊盘；再布线结构，设置在所述第二芯片的正面方向并与所述第二焊盘电性连接；电连接件，设置在所述再布线结构与所述第一焊盘之间并电性连接所述再布线结构与所述第一焊盘。本发明实施例采用电连接件连接堆叠的芯片的焊盘与再布线结构，电连接件可以采用植球工艺直接成型在焊盘上，相比于现有技术中采用电镀成型金属凸块的方案工艺更加的简单，并且避免了电镀过程中光阻材料的大量使用能够更好的节省成本。
本发明授权三维封装结构、半导体器件及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种三维封装结构，其特征在于，包括： 第一芯片，正面设置有第一焊盘和形成在所述第一焊盘旁侧的芯片连接区； 第二芯片，背面设置在所述芯片连接区上并在正面设置有第二焊盘； 再布线结构，设置在所述第二芯片的正面方向并与所述第二焊盘电性连接； 电连接件，设置在所述再布线结构与所述第一焊盘之间并电性连接所述再布线结构与所述第一焊盘； 所述电连接件包括内核和设置在所述内核外的焊料体，所述电连接件通过所述焊料体焊接在所述焊盘上，所述再布线结构与所述内核电性连接； 所述内核的顶部与所述焊料体的顶部均呈平面状且位于同一平面，且所述焊料体在该平面内具有环形结构，所述内核在该平面内的形状与所述环形结构的内环相适配；所述焊料体的顶面与所述再布线结构之间设置有钝化层，所述焊料体通过顶部形成的IMC层与所述钝化层连接；所述焊料体的顶面的任意一点距离所述内核的最小距离均不超过10μm。
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