应用材料公司韩新海获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利用于3D NAND的修改的堆叠获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114424325B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080067068.5，技术领域涉及：H01L21/316；该发明授权用于3D NAND的修改的堆叠是由韩新海;H·俞;胡可嵩;K·恩斯洛;尾方正树;王文佼;C·Y·王;杨传曦;J·马赫;P·L·梁;Q·E·中;A·杰恩;N·拉贾戈帕兰;D·帕德希;S·李设计研发完成，并于2020-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于3D NAND的修改的堆叠在说明书摘要公布了：形成半导体结构的示例性方法可包含由含硅前驱物和含氧前驱物形成氧化硅层。该方法可包含由含硅前驱物、含氮前驱物和含氧前驱物形成氮化硅层。氮化硅层的特征可在于氧浓度大于或约为5原子％。该方法还可包含重复形成氧化硅层和形成氮化硅层以产生氧化硅与氮化硅的交替层的堆叠。
本发明授权用于3D NAND的修改的堆叠在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体结构的方法，所述方法包括： 由含硅前驱物和含氧前驱物形成氧化硅层； 由含硅前驱物、含氮前驱物和含氧前驱物形成氮化硅层，其中所述氮化硅层的特征在于氧浓度大于或等于5原子％； 重复所述形成氧化硅层和所述形成氮化硅层以产生氧化硅与氮化硅的交替层的堆叠；以及 穿过所述氧化硅与氮化硅的交替层的堆叠形成一个或多个特征，其中在所述氮化硅层与覆盖的氧化硅层的界面处的所述氮化硅层的横向移除延伸一距离，所述距离小于或等于对应于所述氮化硅层的厚度的距离的20％。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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