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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利具有测试结构的半导体装置及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114429945B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111025666.9，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权具有测试结构的半导体装置及其制备方法是由杨仓博;饶瑞修设计研发完成，并于2021-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有测试结构的半导体装置及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体装置及其制备方法。该半导体装置包括：一第一测试区；一字元线结构，设置于该第一测试区中，且平行于一第一轴排列；一第一柱的电容插塞结构，设置于该第一测试区中，且平行于一第二轴排列，该第二轴与该第一轴垂直；一第二柱的电容插塞结构，相邻设置于该第一柱的电容插塞结构，且平行于该第一柱的电容插塞结构排列；及一第一测试结构，包括一第一漏极部分及一第一源极部分，该第一漏极部分沿着该第二轴延伸，该第一源极部分沿着该第二轴延伸。该第一漏极部分设置于该第一柱的电容插塞结构上，且该第一源极部分设置于该第二柱的电容插塞结构上。

本发明授权具有测试结构的半导体装置及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 一第一测试区，位于一切割道中； 一字元线结构，设置于该第一测试区中，且平行于一第一轴排列； 一第一柱的电容插塞结构，设置于该第一测试区中，且平行于一第二轴排列，该第二轴与该第一轴垂直； 一第二柱的电容插塞结构，相邻设置于该第一柱的电容插塞结构，且平行于该第一柱的电容插塞结构排列；及 一第一测试结构，包括一第一漏极部分及一第一源极部分，该第一漏极部分沿着该第二轴延伸，该第一源极部分沿着该第二轴延伸； 其中，该第一漏极部分设置于该第一柱的电容插塞结构上，且该第一源极部分设置于该第二柱的电容插塞结构上； 一第二测试区位于该切割道中； 一第一行的电容插塞结构，设置于该第二测试区中，且平行于该第一轴排列； 一第二行的电容插塞结构，相邻设置于该第一行的电容插塞结构，且平行于该第一行的电容插塞结构排列；及 一第二测试结构，包括一第二漏极部分及一第二源极部分，该第二漏极部分沿着该第一轴延伸，该第二源极部分沿着该第一轴延伸； 其中，该第二漏极部分设置于该第一行的电容插塞结构上，且该第二源极部分设置于该第二行的电容插塞结构上； 一第三测试区位于该切割道中； 一第一斜向列的电容插塞结构，设置于该第三测试区中，且平行于一第一方向排列，该第一方向相对于该第一轴与该第二轴倾斜； 一第二斜向列的电容插塞结构，相邻设置于该第一斜向列的电容插塞结构，且平行于该第一斜向列的电容插塞结构排列；及 一第三测试结构，包括一第三漏极部分及一第三源极部分，该第三漏极部分沿着该第一方向延伸，该第三源极部分沿着该第一方向延伸； 其中，该第三漏极部分设置于该第一斜向列的电容插塞结构上，且该第三源极部分设置于该第二斜向列的电容插塞结构上。

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