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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利碳化硅MOSFET器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464680B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210004474.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权碳化硅MOSFET器件及其制作方法是由袁俊设计研发完成，并于2022-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅MOSFET器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制作方法，碳化硅MOSFET器件包括：外延片，包括：半导体基底；设置在基底表面的外延层；设置在外延层内的阱区、源区以及沟槽栅极；沟槽栅极包括位于外延层背离基底一侧表面内的沟槽；位于沟槽内的栅极；源区包围沟槽且与沟槽的侧壁接触；阱区包括：在基底指向源区方向上依次设置的第一层阱区、第二层阱区和第三层阱区；第三层阱区包围沟槽且与沟槽的侧壁接触；沟槽下方的外延层内具有掺杂区域，第一层阱区包围掺杂区域且与掺杂区域接触；第一层阱区与第三层阱区之间具有部分外延层，第二层阱区位于部分外延层的两侧；部分外延层内具有用于保护沟槽栅极底部的掩蔽层；掩蔽层位于沟槽的下方。

本发明授权碳化硅MOSFET器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括： 外延片，所述外延片包括：半导体基底；设置在所述基底表面的外延层； 设置在所述外延层内的阱区、源区以及沟槽栅极； 其中，所述沟槽栅极包括位于所述外延层背离所述基底一侧表面内的沟槽；位于所述沟槽内的栅极，所述栅极与所述沟槽之间具有栅介质层； 所述源区包围所述沟槽且与所述沟槽的侧壁接触； 所述阱区包括：在所述基底指向所述源区方向上依次设置的第一层阱区、第二层阱区和第三层阱区；所述沟槽的底部位于所述第一层阱区与所述第三层阱区之间；所述第三层阱区包围所述沟槽且与所述沟槽的侧壁接触；所述沟槽下方的外延层内具有掺杂区域，所述第一层阱区包围所述掺杂区域且与所述掺杂区域接触；所述第一层阱区与所述第三层阱区之间具有部分外延层，所述第二层阱区位于所述部分外延层的两侧；所述部分外延层内具有用于保护所述沟槽栅极底部的掩蔽层；所述掩蔽层位于所述沟槽的下方，且与各层阱区的掺杂类型相同； 所述掺杂区域在所述基底的垂直投影位于所述沟槽在所述基底的垂直投影内； 所述沟槽在所述基底的垂直投影位于所述部分外延层在所述基底的垂直投影内，且两个所述垂直投影具有非零间距； 所述部分外延层内还具有连接所述掩蔽层和所述第一层阱区的连接区域，所述连接区域与各层阱区的掺杂类型相同。

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