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龙图腾网获悉派恩杰半导体(杭州)有限公司申请的专利一种GaN晶体管驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114513201B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011282053.9，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权一种GaN晶体管驱动电路是由陈欣璐;黄兴设计研发完成，并于2020-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN晶体管驱动电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种GaN晶体管驱动电路。其用于一被驱动GaN晶体管，包括上下管电路和上下管控制电路，所述上下管电路包括上管和下管，所述上管和下管均为GaN晶体管，所述上管的漏极与电源电压VCC相连，栅极与数字输入VIN相连，源极与下管的漏极相连，并作为GaN晶体管驱动电路的输出与被驱动GaN晶体管的栅极相连；下管的栅极与上下管控制电路相连接；该上下管控制电路利用母线电压VD、电源电压VCC以及数字输入VIN，对所述下管进行控制，从而使所述GaN晶体管驱动电路的输出与数字输入VIN同相，所述上下管控制电路包括晶体管，并且所包括的晶体管均为GaN晶体管，在栅极被施加高于阈值电压的电压时导通。

本发明授权一种GaN晶体管驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种GaN晶体管驱动电路，用于驱动一被驱动GaN晶体管Q1，被驱动GaN晶体管Q1的漏极与母线电压VD相连接，其特征在于，所述GaN晶体管驱动电路包括上下管电路和上下管控制电路，所述上下管电路包括上管Q5和下管Q6，所述上管和所述下管均为GaN晶体管，所述上管的漏极与电源电压VCC相连，所述上管的栅极与数字输入VIN相连，所述上管的源极与所述下管的漏极相连，并作为所述GaN晶体管驱动电路的输出与所述被驱动GaN晶体管的栅极相连；所述下管的栅极与所述上下管控制电路相连接，所述上下管控制电路包括第一晶体管Q3、第二晶体管Q4和第三晶体管Q2，所述第二晶体管Q4的漏极与所述数字输入VIN相连，所述第二晶体管Q4的栅极与所述电源电压VCC相连，所述第三晶体管Q2的漏极与所述母线电压VD相连,所述第三晶体管Q2为高压晶体管，第一晶体管Q3、第二晶体管Q4、上管Q5和下管Q6均为低压晶体管，所述上下管控制电路利用电源电压VCC以及数字输入VIN，对所述下管进行控制，从而使所述GaN晶体管驱动电路的输出与数字输入VIN同相，所述上下管控制电路包括晶体管，并且所包括的晶体管均为GaN晶体管，在栅极被施加高于阈值电压的电压时导通； 其中，所述第二晶体管Q4的栅宽为所述第三晶体管Q2的栅宽的5-30％。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人派恩杰半导体(杭州)有限公司，其通讯地址为：311215 浙江省杭州市萧山区平澜路518号悦盛国际中心603室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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