南亚科技股份有限公司廖俊钦获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体结构制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551336B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110023698.9，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构制造方法是由廖俊钦;杜孟达设计研发完成，并于2021-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构制造方法，包括以下流程。提供半导体基板。在半导体基板上形成第一通道，其中通道从半导体基板的表面延伸至半导体基板的内部。在第一通道内填充第一导电材料。差异地研磨半导体基板以及第一导电材料，以使第一导电材料凸出于半导体基板。平坦化第一导电材料与半导体基板的表面，以使第一导电材料的顶面与半导体基板的表面齐平。如此，形成的用于互连的导电材料的裸露表面能够均匀，有利于后续的键合。
本发明授权半导体结构制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构制造方法，其特征在于，包括： 提供半导体基板，其中半导体基板包括主动层及在所述主动层上的氧化层； 在所述半导体基板上形成第一通道，其中所述第一通道从所述半导体基板的表面延伸至所述半导体基板的内部，所述第一通道穿过所述氧化层延伸至所述主动层内； 在所述第一通道内填充第一导电材料； 差异地研磨所述半导体基板以及所述第一导电材料，以使所述第一导电材料凸出于所述半导体基板；以及 平坦化凸出的所述第一导电材料与所述半导体基板的所述表面，以使所述第一导电材料的顶面与所述半导体基板的所述表面齐平。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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