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龙图腾网获悉深圳市时代速信科技有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551410B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210168317.0，技术领域涉及：H01L23/60；该发明授权半导体器件及其制备方法是由乐伶聪;许建华;杨天应设计研发完成，并于2022-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该器件包括耗尽型HEMT器件本体和ESD防护结构，ESD防护结构包括连接于耗尽型HEMT器件本体的栅极和耗尽型HEMT器件本体的源极之间的二极管组，二极管组包括自耗尽型HEMT器件本体的源极向耗尽型HEMT器件本体的栅极方向导通的肖特基二极管；ESD防护结构位于耗尽型HEMT器件本体的栅极焊盘的下方；和或，ESD防护结构位于耗尽型HEMT器件本体的源极加厚金属的下方，且ESD防护结构在耗尽型HEMT器件本体的衬底上的正投影与耗尽型HEMT器件本体的有源区在衬底上的正投影无交叠。该器件能在不占用器件的有效芯片面积的前提下提高ESD防护等级。

本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括耗尽型HEMT器件本体和ESD防护结构，所述ESD防护结构包括连接于所述耗尽型HEMT器件本体的栅极焊盘和所述耗尽型HEMT器件本体的源极之间的二极管组，所述二极管组包括肖特基二极管；所述肖特基二极管自所述耗尽型HEMT器件本体的源极向所述耗尽型HEMT器件本体的栅极焊盘方向导通；且所述ESD防护结构位于所述耗尽型HEMT器件本体的栅极焊盘的下方；和或，所述ESD防护结构位于所述耗尽型HEMT器件本体的源极加厚金属的下方，且所述ESD防护结构在所述耗尽型HEMT器件本体的衬底上的正投影与所述耗尽型HEMT器件本体的有源区在所述衬底上的正投影无交叠； 所述耗尽型HEMT器件本体的栅压工作范围在-Vmin至Vmax之间，所述ESD防护结构包括N个串联的二极管组，且每个所述二极管组的开启电压为Vf，则N×Vf＞Vmin； 在所述ESD防护结构位于所述耗尽型HEMT器件本体的栅极焊盘的下方时，所述ESD防护结构的静电电压防护等级为VESD，所述VESD对应的通流值为Imax，所述二极管组包括并联连接的M个所述肖特基二极管，所述肖特基二极管的单位栅宽电流密度为JSBD，所述肖特基二极管的栅宽为Wg，则M×JSBD×Wg＞Imax； 在所述ESD防护结构位于所述耗尽型HEMT器件本体的源极加厚金属的下方，且所述ESD防护结构在所述耗尽型HEMT器件本体的衬底上的正投影与所述耗尽型HEMT器件本体的有源区在所述衬底上的正投影无交叠时；所述ESD防护结构的静电电压防护等级为VESD，所述VESD对应的通流值为Imax，所述二极管组包括并联连接的M个所述肖特基二极管，所述耗尽型HEMT器件本体包括Q个源极加厚金属，所述肖特基二极管的单位栅宽电流密度为JSBD，所述肖特基二极管的栅宽为Wg，则M×Q×JSBD×Wg＞Imax。

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