南方科技大学张国飙获国家专利权
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龙图腾网获悉南方科技大学申请的专利高密度三维纵向存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551451B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110574892.6，技术领域涉及：H10B20/00；该发明授权高密度三维纵向存储器是由张国飙设计研发完成，并于2021-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本高密度三维纵向存储器在说明书摘要公布了：高密度三维纵向存储器3D‑MV包括低掺杂段3D‑MV和非圆孔型3D‑MV。低掺杂段3D‑MV不利用横向空间指沿存储孔的半径方向、而是利用纵向空间指沿存储孔的深度方向来保证存储元的正常读写操作。非圆孔型3D‑MV含有多个非圆存储孔，非圆存储孔的横截面含有至少两对相交的平行边线，每对平行边线通过DUV光刻单次曝光形成、且最小间距小于50纳米。
本发明授权高密度三维纵向存储器在权利要求书中公布了：1.一种包括多条水平地址线8a-8h和多个穿透所有所述水平地址线8a-8h的存储孔2a-2d的高密度三维纵向存储器，其特征在于，每个所述存储孔2a含有： 一编程膜6a，所述编程膜6a完全覆盖所述存储孔2a的侧壁，所述编程膜6a的电阻可通过施加一电编程信号而改变； 一低掺杂段4a，所述低掺杂段4a含有低掺杂半导体材料，所述低掺杂半导体材料在横向上完全充满所述存储孔2a、在纵向上连续跨过所有所述水平地址线8a-8h； 一孔电极3a,3a`,3z1,或3z1`，所述孔电极3a,3a`,3z1,或3z1`在一耦合界面3ai或3ai`与所述低掺杂段4a接触，所述耦合界面3ai或3ai`与所述水平地址线8a-8h的最近距离S大于50纳米； 所述多条水平地址线8a-8h、所述低掺杂段4a和所述孔电极3a,3a`,3z1,或3z1`形成多个P-N结二极管；其中，所述多条水平地址线8a-8h含有第一种高掺杂半导体材料，所述孔电极3a,3a`,3z1,或3z1`含有第二种高掺杂半导体材料，所述第一种和第二种掺杂类型相反。
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