无锡华润上华科技有限公司冯冰获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利半导体器件的制备方法及屏蔽栅沟槽器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582717B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011377002.4，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权半导体器件的制备方法及屏蔽栅沟槽器件是由冯冰;张建栋;贺腾飞设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制备方法及屏蔽栅沟槽器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体器件的制备方法及屏蔽栅沟槽器件，所述方法包括：获取开设有沟槽的衬底，沟槽内壁形成有第一介质层，所述沟槽内未形成所述第一介质层的空间形成有多晶硅结构，所述多晶硅结构的顶部低于所述衬底的表面；湿法刻蚀去除所述第一介质层高于所述多晶硅结构的部分；等离子体轰击所述多晶硅结构的顶部，使所述多晶硅结构的顶部被部分去除；在所述沟槽内壁和所述多晶硅结构表面热生长第一氧化层；向所述沟槽内填充第二介质层，所述第二介质层将所述沟槽填满。本申请通过等离子体轰击多晶硅结构的边缘，使得多晶硅结构顶部的宽度变小，达到避免在多晶硅结构顶部两侧形成小孔的目的，进而达到消除填充异常造成的栅源短路的目的。
本发明授权半导体器件的制备方法及屏蔽栅沟槽器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 获取开设有沟槽的衬底，沟槽内壁形成有第一介质层，所述沟槽内未形成所述第一介质层的空间形成有多晶硅结构，所述多晶硅结构的顶部低于所述衬底的表面； 湿法刻蚀去除所述第一介质层高于所述多晶硅结构的部分，得到由剩余第一介质层构成的屏蔽栅介质层；湿法刻蚀之后，位于多晶硅结构顶部两侧的第一介质层被去除，使得多晶硅结构的顶部高于屏蔽栅介质层的顶部； 等离子体轰击所述多晶硅结构的边缘，使所述多晶硅结构的边缘被部分去除，得到由剩余的多晶硅结构构成的屏蔽栅多晶硅层； 在所述沟槽内壁和所述多晶硅结构表面热生长第一氧化层； 向所述沟槽内填充第二介质层，所述第二介质层将所述沟槽填满； 半导体器件的制备方法还包括： 对第二介质层进行刻蚀，得到位于屏蔽栅多晶硅层上方的栅氧化层的步骤；所述栅氧化层包括所述第一氧化层和剩余第二介质层。
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