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龙图腾网获悉西安航天民芯科技有限公司申请的专利一种用于高性能电源管理的超低压启动辅助电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114583939B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210423167.3，技术领域涉及：H02M1/36；该发明授权一种用于高性能电源管理的超低压启动辅助电路是由王勇;孙权;夏雪;袁婷;王婉设计研发完成，并于2022-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于高性能电源管理的超低压启动辅助电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于高性能电源管理的超低压启动辅助电路，其包含用于驱动P型功率管的低电压启动辅助电路以及用于驱动N型功率管的低电压启动辅助电路；本发明利用电容的电荷存储特性产生两个辅助电压，可以实现在电源管理电路的电源电压较小时，尤其是在需要超低压启动的BOOST型DCDC转换器中，能够驱动P型功率管及N型功率管使输出电压上升从而启动转换器各个模块。

本发明授权一种用于高性能电源管理的超低压启动辅助电路在权利要求书中公布了：1.一种用于高性能电源管理的超低压启动辅助电路，所述辅助电路包含两个，一个产生负压用于驱动P型功率管MP0，一个产生倍增电压用于驱动N型功率管MN0，产生负压用于驱动MP0的电路，包含低压时钟产生电路以及负压产生电路，产生倍增电压用于驱动MN0的电路，包含低压时钟产生电路以及倍增电压产生电路，其特征在于， 产生负压用于驱动MP0的电路的低压时钟产生电路由P型MOS管MP1及N型MOS管MN1组成的反相器，反相器INV1、INV2，两输入与非门NAND2_1，P型MOS管MP2及N型MOS管MN2组成的反相器，电阻R1，电容C1，以及P型MOS管MP3构成； MP1的栅极与MN1的栅极相连并连接电容C1的一端、电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接MP2的漏极、MN2的漏极，电容C1的另一端接地，MP1的源极、MP3的源极、MP2的源极连接到外部信号SW，MN1的源极与MN2的源极接地，MP1的漏极与MN1的漏极连接到反相器INV1的输入端、MP3的漏极，MP3的栅极连接到反相器INV1的输出端、与非门NAND2_1的一个输入端，NAND2_1另一个输入端为电路的使能信号EN_P，NAND2_1的输出端为时钟信号CLKN_P，并与反相器INV2的输入端相连接，反相器INV2的输出端为时钟信号CLK_P，并与MP2栅极、MN2栅极连接； 负压产生电路由N型MOS管MN3、MN4以及电容C2组成，MN3的栅极接时钟信号CLKN_P，MN3的漏极为输出端PGATE，MN3的源极与MN4的漏极、电容C2的一端即X节点连接，电容C2的另一端与时钟信号CLK_P、MN4的栅极连接，MN4的源极接地。

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