北京时代全芯存储技术股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司廖昱程获国家专利权
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龙图腾网获悉北京时代全芯存储技术股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司申请的专利场效晶体管结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114641865B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980101744.3，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权场效晶体管结构及其制造方法是由廖昱程;刘峻志设计研发完成，并于2019-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本场效晶体管结构及其制造方法在说明书摘要公布了：一种场效晶体管结构1，包含基板10、源极汲极部20、介电层DL、闸极构成30、半导体层40。源极汲极部20形成于基板10上，并且源极汲极部20包含源极与汲极210220；介电层DL与源极汲极部20形成于同一层并电性隔离源极与汲极210220；闸极构成30与源极汲极部20位于不同层，闸极构成30包含闸极导电层310以及闸极绝缘层320，闸极导电层310形成于介电层上，且闸极绝缘层320形成于闸极导电层310上并包覆闸极导电层310。半导体层40，形成于闸极绝缘层320上并包覆闸极绝缘层320。闸极构成30介于介电层DL与半导体层40之间，源极汲极部20耦接于半导体层40，且通过施加电压于闸极导电层310以于半导体层40中形成通道。
本发明授权场效晶体管结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种场效晶体管结构，其特征在于，该场效晶体管结构包含： 一基板； 一源极汲极部，形成于该基板上，该源极汲极部包含一源极与一汲极； 一介电层，与该源极汲极部形成于同一层并电性隔离该源极与该汲极； 一闸极构成，与该源极汲极部位于不同层，该闸极构成包含一闸极导电层以及一闸极绝缘层，该闸极导电层形成于该介电层上，且该闸极绝缘层形成于该闸极导电层上并包覆该闸极导电层；以及 一半导体层，形成于该闸极绝缘层上并包覆该闸极绝缘层，所述半导体层的材料为多晶硅； 其中，该闸极构成介于该介电层与该半导体层之间，该源极汲极部耦接于该半导体层，且通过施加电压于该闸极导电层以于该半导体层中形成通道；在该源极至该汲极的一方向上，该源极和该汲极之间间距小于该半导体层的延伸长度。
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