中芯北方集成电路制造(北京)有限公司蔡巧明获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中芯北方集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664915B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011541237.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体结构及其形成方法是由蔡巧明设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括用于形成第一器件的第一区域以及用于形成第二器件的第二区域，所述第一器件的沟道长度大于所述第二器件的沟道长度；在所述第一区域的基底上形成多晶硅栅极层；在所述第二区域的基底上形成由下而上依次堆叠的高k栅介质层、金属阻挡层和伪栅层；在所述多晶硅栅极层和伪栅层侧部的基底上形成层间介质层，所述层间介质层露出所述伪栅层的顶部；去除所述伪栅层，并在所述伪栅层的位置处形成金属栅极层。本发明未在多晶硅栅极层下方形成金属阻挡层，有利于使得第一器件的阈值电压能够满足器件的性能需求，从而提高半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，包括用于形成第一器件的第一区域和用于形成第二器件的第二区域，所述第一器件的沟道长度大于所述第二器件的沟道长度； 多晶硅栅极层，位于所述第一区域的基底上； 高k栅介质层，位于所述第二区域的基底上； 金属阻挡层，位于所述高k栅介质层上； 金属栅极层，位于所述金属阻挡层上； 层间介质层，位于所述多晶硅栅极层和金属栅极层侧部的基底上； 所述半导体结构还包括：栅极硅化物层，位于所述多晶硅栅极层的顶面；覆盖层，覆盖所述金属栅极层的顶部和层间介质层的顶部，并露出所述栅极硅化物层的顶面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯北方集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号9幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励