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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种异质结沟槽T型栅功率MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725220B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210143112.7，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权一种异质结沟槽T型栅功率MOSFET器件及其制备方法是由贾仁需;赵淑婷;元磊;张玉明设计研发完成，并于2022-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种异质结沟槽T型栅功率MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种异质结沟槽T型栅功率MOSFET器件及其制备方法，包括：衬底、异质外延缓冲层、外延沟道层、源区重掺杂欧姆接触区、漏电极和栅电极；异质外延缓冲层的材料为β‑Ga2O3；异质外延缓冲层内分别设有源区电流阻挡层；异质外延缓冲层内设有外延沟道层；外延沟道层的材料为掺杂的β‑Ga2O3；外延沟道层上开设有沟槽；外延沟道层上和沟槽的内壁上设有第一栅氧化层；第一栅氧化层的表面设有第二栅氧化层，第二栅氧化层的表面设有第三栅氧化层；异质外延缓冲层上设有钝化层；栅电极的两侧分别设有源电极；述源电极下端连接有源区重掺杂欧姆接触区。本发明提高了β‑Ga2O3MOSFET击穿电压，减少栅漏电流，改善器件高温可靠性，实现增强型MOSFET。

本发明授权一种异质结沟槽T型栅功率MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种异质结沟槽T型栅功率MOSFET器件，其特征在于，包括：衬底1、异质外延缓冲层2、外延沟道层3、源区重掺杂欧姆接触区5、漏电极12和栅电极10； 所述漏电极12、所述衬底1和所述异质外延缓冲层2由下至上依次设置； 所述异质外延缓冲层2的材料为β-Ga2O3，所述衬底1的材料为Si、SiC或金刚石； 所述异质外延缓冲层2的两侧部内分别设有源区电流阻挡层4； 所述源区电流阻挡层4为沿深度方向和水平方向延伸的L型结构，所述源区电流阻挡层4的材料为掺杂Mg2+的β-Ga2O3； 所述源区电流阻挡层4的沿深度方向延伸的部分靠近所述异质外延缓冲层2的外边沿且顶部与所述异质外延缓冲层2的顶部平齐； 两个所述源区电流阻挡层4沿深度方向延伸的部分之间的异质外延缓冲层2内设有所述外延沟道层3；所述外延沟道层3的顶部与所述源区电流阻挡层4的顶部平齐；所述外延沟道层3的材料为掺杂的β-Ga2O3； 所述外延沟道层3上开设有沟槽； 所述外延沟道层3上和所述沟槽的内壁上设有第一栅氧化层6； 所述第一栅氧化层6的表面设有第二栅氧化层7，所述第二栅氧化层7的表面设有第三栅氧化层8； 所述第一栅氧化层6的介电常数小于10；所述第二栅氧化层7的介电常数大于15且小于25；所述第三栅氧化层8的介电常数大于40； 所述异质外延缓冲层2上设有钝化层9； 所述栅电极10，为T型结构，设在所述钝化层9的表面并延伸至所述第三栅氧化层8的侧向表面； 所述栅电极10的两侧分别设有源电极11；所述源电极11穿过所述钝化层9延伸至所述外延沟道层3的顶部所在平面上； 所述源电极11下端连接有所述源区重掺杂欧姆接触区5，所述源区重掺杂欧姆接触区5的两侧分别连接所述源区电流阻挡层4和所述外延沟道层3。

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