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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利编程期间通过经由基板注入空穴的NAND串预充电获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730599B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080080017.6，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权编程期间通过经由基板注入空穴的NAND串预充电是由陈汉平;赵伟;H·钦设计研发完成，并于2020-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本编程期间通过经由基板注入空穴的NAND串预充电在说明书摘要公布了：本发明描述了用于在编程操作的预充电阶段中对NAND串沟道进行预充电的装置和技术。在一个方面，在NAND串的源极端处使用空穴型预充电过程，其中NAND串的底部连接到基板的p阱。通过将正电压施加到p阱，并且将较低电压诸如0V或负电压施加到源极侧选择栅极晶体管和存储器单元，将来自p阱的空穴注入沟道中。在另一种方法中，空穴型预充电过程和电子型预充电过程在单独的时间段内依次使用。在另一种方法中，在NAND串的源极端处使用空穴型预充电过程，而在NAND串的漏极端处使用电子型预充电过程。

本发明授权编程期间通过经由基板注入空穴的NAND串预充电在权利要求书中公布了：1.一种预充电装置，包括： NAND串700n,710,720n,730n，所述NAND串在间隔开的导电层SGS,WLDS,WL0-WL95,WLDD,SGD的堆叠610中垂直延伸，所述NAND串包括源极端700s和漏极端700d，所述NAND串包括沟道660、多个存储器单元703-714,723-734,743-754,763-774和所述源极端处的源极侧选择栅极晶体管701,721,741,761，并且所述间隔开的导电层包括连接到所述多个存储器单元的多个字线WL0-WL95和连接到所述源极侧选择栅极晶体管的源极侧选择栅极控制线SGS； 基板611，所述基板包括与所述NAND串的所述源极端接触的p阱612、所述p阱中的n型触点612c和所述p阱中的p+触点612b；和 控制电路110,122，所述控制电路被配置为在编程操作中对所述沟道进行预充电，其中为了对所述沟道进行预充电，所述控制电路被配置为在所述NAND串的所述源极端处将空穴注入所述沟道中，所述在所述NAND串的所述源极端处将所述空穴注入所述沟道中包括同时地以不超过0V的相应电压偏置所述源极侧选择栅极控制线，以相应正电压偏置所述n型触点并且以相应正电压偏置所述p+触点；并且 其中： 所述NAND串包括位于所述漏极端处的漏极侧选择栅极晶体管716,736,756,776； 所述间隔开的导电层包括连接到所述漏极侧选择栅极晶体管的漏极侧选择栅极控制线SGDO,SGDl,SGD2,SGD3；并且 为了对所述沟道进行预充电，在所述在所述NAND串的所述源极端处将所述空穴注入所述沟道中期间，所述控制电路被配置为在所述NAND串的所述漏极端处从所述沟道提取电子，所述在所述NAND串的所述漏极端处从所述沟道提取电子包括同时地以相应正电压偏置所述NAND串的所述漏极端处的所述多个字线的漏极侧子集，以相应正电压偏置所述漏极侧选择栅极控制线并且以相应正电压偏置所述漏极端。

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