南亚科技股份有限公司丘世仰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利具有可程序化单元的半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114765147B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111282630.9，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权具有可程序化单元的半导体元件及其制备方法是由丘世仰;黄则尧设计研发完成，并于2021-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有可程序化单元的半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种具有可程序化单元的半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底；一下导电层，设置于该基底中；一隔离层，设置于该基底上；一第一导电层，设置于该隔离层上以及在该下导电层上方；一第二导电层，设置于该隔离层上以及在该下导电层上方，并与该第一导电层间隔设置；一导电栓塞，电性耦接到该下导电层；以及一上导电层，电性耦接到该第一导电层与该第二导电层。该第一导电层具有一第一功函数，该第二导电层具有一第二功函数，而该第二功函数不同于该第一功函数。该下导电层、该隔离层、该第一导电层以及该第二导电层一起配置成一可程序化单元。
本发明授权具有可程序化单元的半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括： 一基底； 一下导电层，设置于该基底中； 一隔离层，设置于该基底上； 一第一导电层，设置于该隔离层上以及在该下导电层上方； 一第二导电层，设置于该隔离层上以及在该下导电层上方，并与该第一导电层间隔设置； 一导电栓塞，电性耦接到该下导电层；以及 一上导电层，电性耦接到该第一导电层与该第二导电层； 其中该第一导电层具有一第一功函数，该第二导电层具有一第二功函数，而该第二功函数不同于该第一功函数； 其中该下导电层、该隔离层、该第一导电层以及该第二导电层一起配置成一可程序化单元， 其中该第一导电层与该第二导电层包含掺杂多晶硅、掺杂多晶硅锗或其组合，而该第一导电层与该第二导电层具有相同的电类型， 其中该下导电层包含掺杂硅、掺杂锗、掺杂硅锗或其组合，而该下导电层具有一电类型，该电类型相同于该第一导电层与该第二导电层， 还包括一井区，设置于该基底中并围绕该下导电层设置，其中该井区具有一电类型，该电类型与该下导电层相反，该井区对该下导电层提供额外的电性绝缘。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南亚科技股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新北市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励