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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利包含氮化硅应力补偿区的半导体管芯及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114766060B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080080026.5，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权包含氮化硅应力补偿区的半导体管芯及其制造方法是由吴晨;P·拉布金;陈杨胤;东谷政昭设计研发完成，并于2020-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本包含氮化硅应力补偿区的半导体管芯及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种形成半导体结构的方法，该方法包括：在第一衬底上方形成第一半导体器件；在第一半导体器件上方形成第一电介质材料层；在第一电介质材料层中形成竖直凹陷部，使得竖直凹陷部中的每个竖直凹陷部从第一电介质材料层的最顶表面朝向第一衬底竖直地延伸；在竖直凹陷部中的每个竖直凹陷部中形成氮化硅材料部分；以及用激光束局部照射该氮化硅材料部分的第二子集。未用激光束照射的氮化硅材料部分的第一子集包括将拉伸应力施加到相应周围材料部分的第一氮化硅材料部分，并且用激光束照射的氮化硅材料部分的第二子集包括将压缩应力施加到相应周围材料部分的第二氮化硅材料部分。

本发明授权包含氮化硅应力补偿区的半导体管芯及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，所述半导体结构包括第一半导体管芯，其中所述第一半导体管芯包括： 第一衬底； 第一半导体器件，其中所述第一半导体器件是三维存储器元件阵列，所述第一半导体器件位于所述第一衬底上方； 第一电介质材料层，所述第一电介质材料层位于所述第一半导体器件上方； 第一氮化硅材料部分，所述第一氮化硅材料部分嵌入在所述第一电介质材料层的上部部分内并且将拉伸应力施加到相应周围材料部分；和 第二氮化硅材料部分，所述第二氮化硅材料部分嵌入在所述第一电介质材料层的所述上部部分内并且将压缩应力施加到相应周围材料部分; 其中，所述半导体结构还包括嵌入在所述第一电介质材料层的所述上部部分中的第一接合垫； 其中，所述第一氮化硅材料部分包括沿第一水平方向侧向延伸的条带； 其中，所述第二氮化硅材料部分包括沿不同于所述第一水平方向的第二水平方向侧向延伸的条带； 其中，所述第一氮化硅材料部分的顶表面和所述第二氮化硅材料部分的顶表面在包括所述第一电介质材料层的顶表面的水平平面内；并且 其中，所述第一接合垫的顶表面位于包括所述第一电介质材料层的所述顶表面的所述水平平面中。

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