深圳市华星光电半导体显示技术有限公司曹蔚然获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板及其制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114784060B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210349154.6,技术领域涉及:H10K59/122;该发明授权显示面板及其制作方法是由曹蔚然;李金川;万之君设计研发完成,并于2022-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示面板及其制作方法在说明书摘要公布了:本申请公开了一种显示面板及其制作方法,该显示面板包括:基板、无机层、光阻层、封装层以及沟槽;无机层设于基板上;光阻层设于无机层远离基板的一侧;封装层设置于光阻层远离基板的一侧;沟槽包括贯穿光阻层的第一沟槽部以及贯穿无机层的第二沟槽部,其中,第二沟槽部在基板上的正投影覆盖第一沟槽部在基板上的正投影,封装层在沟槽处断开。该显示面板可以解决切割导致的封装层失效,并实现窄边框设计。
本发明授权显示面板及其制作方法在权利要求书中公布了:1.一种显示面板,其特征在于,包括: 基板; 无机层,所述无机层设于所述基板上; 光阻层,所述光阻层设于所述无机层远离所述基板的一侧; 封装层,所述封装层设置于所述光阻层远离所述基板的一侧;以及, 沟槽,所述沟槽包括贯穿所述光阻层的第一沟槽部以及贯穿所述无机层的第二沟槽部,其中,所述第二沟槽部在所述基板上的正投影覆盖所述第一沟槽部在所述基板上的正投影,所述封装层在所述沟槽处断开; 其中,所述第一沟槽部沿第一方向的截面形状、所述第二沟槽部沿第一方向的截面形状均为倒梯形,所述第一沟槽部靠近所述基板一侧的口径小于所述第一沟槽部远离所述基板一侧的口径,且所述第二沟槽部靠近所述基板一侧的口径小于所述第二沟槽部远离所述基板一侧的口径;所述第二沟槽部远离所述基板的槽径比所述第一沟槽部靠近所述第二沟槽部的槽径至少大200纳米; 所述显示面板还包括金属层,所述金属层设于所述无机层靠近所述基板的一侧,所述金属层上设有与所述第二沟槽部对应的第三沟槽部,所述第三沟槽部在所述基板上的正投影覆盖所述第二沟槽部在所述基板上的正投影,且所述第三沟槽部沿所述第一方向的截面形状为倒梯形。
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