中芯北方集成电路制造(北京)有限公司蔡巧明获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯北方集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823842B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110079174.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体结构及其形成方法是由蔡巧明;张云香设计研发完成，并于2021-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括电阻区；在基底中形成隔离结构；在电阻区的隔离结构之间的基底中形成绝缘层，绝缘层通过对基底进行氧化处理的方式形成；在绝缘层上形成电阻结构；在电阻结构侧部的基底上形成层间介质层，层间介质层露出电阻结构的顶部；沿电阻结构的延伸方向，去除电阻结构和层间介质层交界处的部分电阻结构，形成由层间介质层和剩余的电阻结构围成的开口；在开口中形成电极；在电极顶部形成电连接电极的导电插塞。隔离结构之间的区域为有源区，在形成隔离结构时进行平坦化的过程中，对有源区造成过研磨的概率较低，则在有源区形成绝缘层，有效降低了绝缘层出现凹陷缺陷的概率。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，包括电阻区； 隔离结构，位于所述基底内，所述隔离结构之间的区域为有源区； 绝缘层，位于所述电阻区的隔离结构之间有源区的基底中，所述绝缘层通过对所述基底进行氧化处理的方式形成； 电阻结构，位于所述绝缘层上； 层间介质层，位于所述电阻结构侧部的基底上，所述层间介质层露出所述电阻结构的顶部； 电极，沿所述电阻结构的延伸方向，所述电极位于所述电阻结构和所述层间介质层之间，且所述电极顶部与所述电阻结构顶部齐平； 导电插塞，位于所述电极顶部且电连接所述电极。
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