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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院申请的专利一种GaN基双层钝化凹槽栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823891B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210232493.6，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种GaN基双层钝化凹槽栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法是由李祥东;袁嘉惠;王萌;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN基双层钝化凹槽栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaN基双层钝化凹槽栅增强型MIS‑HEMT器件及其制备方法，器件包括自下而上依次设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，其中，势垒层的两侧分别设置有第一隔离区和第二隔离区；第一隔离区和第二隔离区的内侧分别设置有漏电极和源电极，漏电极和源电极的至少一部分均镶嵌在势垒层中，漏电极和源电极的下表面均与沟道层接触；漏电极与源电极之间的势垒层上开设有栅极区凹槽，栅极区凹槽的内表面及势垒层的上表面涂覆有双层钝化层；位于栅极区凹槽内的双层钝化层上设置有栅电极。本发明通过双层钝化层在垂直沟道方向形成绝缘层，阻断了载流子在垂直方向的运输，使得器件具有界面态缺陷密度低，PBTI效应小，阈值电压稳定的特性。

本发明授权一种GaN基双层钝化凹槽栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN基双层钝化凹槽栅增强型MIS-HEMT器件，其特征在于，包括自下而上依次设置的衬底1、成核层2、缓冲层3、沟道层4和势垒层6，其中， 所述势垒层6的两侧分别设置有第一隔离区5和第二隔离区11，所述第一隔离区5和所述第二隔离区11自所述势垒层6的上表面延伸至所述缓冲层3的上表面； 所述第一隔离区5和所述第二隔离区11的内侧分别设置有漏电极7和源电极9，所述漏电极7的至少一部分和所述源电极9的至少一部分均镶嵌在所述势垒层6中，所述漏电极7和所述源电极9的下表面均与所述沟道层4接触且形成欧姆接触； 所述漏电极7与所述源电极9之间的所述势垒层6上开设有栅极区凹槽12，所述栅极区凹槽12的内表面及所述势垒层6的上表面涂覆有双层钝化层10；位于所述栅极区凹槽12内的双层钝化层10上设置有栅电极8； 所述双层钝化层10包括Si钝化层101和SiO2钝化层102，其中，所述Si钝化层101位于所述栅极区凹槽12内，且沿所述栅极区凹槽12的台面向外生长，以使截面呈U形； 所述SiO2钝化层102覆盖在所述Si钝化层101上表面以及所述漏电极7与所述源电极9之间的所述势垒层6上表面，且两侧分别与所述源电极9和所述漏电极7接触。

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