桑迪士克科技有限责任公司津美正三里获国家专利权
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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利具有分离的源极侧线的三维存储器器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114868248B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180006591.1，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权具有分离的源极侧线的三维存储器器件及其制造方法是由津美正三里;矢田信介;虫贺光昭;西田昭夫;小川裕之;翁照男设计研发完成，并于2021-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有分离的源极侧线的三维存储器器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠位于至少一个源极层上方；和存储器开口填充结构组，该存储器开口填充结构组竖直延伸穿过该交替堆叠。每个存储器开口填充结构可包括存储器元件的竖直堆叠和竖直半导体沟道。多个源极侧选择栅极电极可通过源极选择层级介电隔离结构横向间隔开。另选地或除此之外，该至少一个源极层可包括多个源极层。可通过选择源极层和或通过选择源极层级导电层选择存储器开口填充结构组。
本发明授权具有分离的源极侧线的三维存储器器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器器件，所述三维存储器器件包括： 绝缘层和导电层的交替堆叠，所述交替堆叠位于多个源极层上方，其中所述交替堆叠位于一对背侧沟槽填充结构之间，其中所述导电层包括字线和多个源极侧选择栅极电极，所述多个源极侧选择栅极电极在竖直方向上位于所述多个源极层和所述字线之间， 源极侧沟槽，所述源极侧沟槽延伸穿过所述源极侧选择栅极电极和所述多个源极层两者，其中所述源极侧沟槽不划分所述字线； 存储器开口组，所述存储器开口组竖直延伸穿过所述交替堆叠；和 存储器开口填充结构组，所述存储器开口填充结构组位于所述存储器开口组中，其中所述存储器开口填充结构中的每一者包括：存储器元件的相应竖直堆叠；相应竖直半导体沟道，所述相应竖直半导体沟道具有接触所述多个源极层中的相应一者的第一端；和相应漏极区，所述相应漏极区接触所述相应竖直半导体沟道的第二端， 其中： 所述多个源极层彼此横向间隔开并且电隔离；并且 存储器开口填充结构的每个组接触所述多个源极层中的相应一者。
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