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龙图腾网获悉西安爱科赛博电气股份有限公司申请的专利一种磁元件抗饱和磁芯结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114974846B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210698746.9，技术领域涉及：H01F27/34；该发明授权一种磁元件抗饱和磁芯结构是由李海波;白小青;高磊设计研发完成，并于2022-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种磁元件抗饱和磁芯结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种开关电源器件，具体涉及一种磁元件抗饱和磁芯结构，解决现有硬饱和磁元件在短时高过压或高过载工况下，磁芯饱和，使得开关电源难以稳定工作在该类工况下，导致磁元件绕组电流快速上升，造成开关损坏的技术问题。该磁元件抗饱和磁芯结构，包括绕组、磁轭、与磁轭组成回路的中柱；绕组与中柱的距离为d3；气隙的长度为d1，且d3≥d1；硬饱和磁分路与软饱和磁分路相邻侧壁之间的距离为d2，且d2≥d1；软饱和磁分路磁阻Rm2为A倍的硬饱和磁分路磁阻Rm1，A的取值大于等于5。硬饱和磁分路磁芯截面积Ae1与软饱和磁分路磁芯截面积Ae2之和小于等于磁轭截面积Ae3。实现在额定工况以下，绕组感量恒定，不随电压或电流发生明显变化。

本发明授权一种磁元件抗饱和磁芯结构在权利要求书中公布了：1.一种磁元件抗饱和磁芯结构，其特征在于：包括绕组6、磁轭1、与磁轭1组成回路的中柱2； 所述绕组6缠绕设置于中柱2的外部，且绕组6与中柱2之间的距离为d3； 所述中柱2包括并联的硬饱和磁分路3与软饱和磁分路4；所述硬饱和磁分路3与软饱和磁分路4连接的两端分别与磁轭1连接； 所述硬饱和磁分路3包括N+1磁芯段7，每个磁芯段7同轴设置，且相邻磁芯段7之间形成N个气隙5；N为大于等于1的正整数；所述气隙5沿硬饱和磁分路3轴线方向的长度为d1，且d3≥d1； 所述硬饱和磁分路3与软饱和磁分路4相邻侧壁之间的距离为d2，且d2≥d1； 所述硬饱和磁分路3的磁阻Rm1与软饱和磁分路4的磁阻Rm2的关系为Rm2＝ARm1，A的取值大于等于5； 所述硬饱和磁分路3的磁阻Rm1： 式中：N为气隙5数量；μ0为空气磁导率； 所述软饱和磁分路4磁阻Rm2： 式中：lg为软饱和磁分路4轴向长度；μr为软饱和磁分路4的磁材相对磁导率； 所述硬饱和磁分路3磁芯截面积Ae1、软饱和磁分路4磁芯截面积Ae2与磁轭1截面积Ae3之间的关系为Ae3≥Ae1+Ae2。

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