NIF/T有限责任公司M·托马斯获国家专利权
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龙图腾网获悉NIF/T有限责任公司申请的专利基于平场晶体管的动态随机存取存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975446B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210153079.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权基于平场晶体管的动态随机存取存储器是由M·托马斯;R·J·斯追恩设计研发完成，并于2022-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于平场晶体管的动态随机存取存储器在说明书摘要公布了：公开了一种基于平场晶体管FFT的动态随机存取存储器DRAMFFT‑DRAM。FFT‑DRAM包括外延生长的源极区，该源极区包括源极延伸部以及在源极延伸部上并与源极延伸部接触的外延源极。外延生长的源极区在半导体基板的表面上。FFT‑DRAM还包括在结构上集成到外延生长的源极区中的沟槽电容器。沟槽电容器具有由外延生长的源极区形成的第一端子以及作为填充沟槽电容器的一个或多于一个沟槽的导电材料的第二端子。第二端子连接到接地端子或固定电压端子。
本发明授权基于平场晶体管的动态随机存取存储器在权利要求书中公布了：1.一种基于平场晶体管即FFT的动态随机存取存储器即DRAM，基于FFT的DRAM即FFT-DRAM包括： 外延生长的源极区，其包括源极延伸部以及在所述源极延伸部上并且与所述源极延伸部接触的外延源极，所述外延生长的源极区在半导体基板的表面上；以及 沟槽电容器，其在结构上集成到所述外延生长的源极区中，所述沟槽电容器具有由所述外延生长的源极区形成的第一端子以及作为填充所述沟槽电容器的一个或多于一个沟槽的导电材料的第二端子，所述第二端子连接到接地端子或固定电压端子； 填充所述沟槽的导电材料通过使所述沟槽电容器的第一端子和第二端子分离的电介质来与所述源极区分离； 当所述FFT-DRAM导通时，所述沟槽电容器的第一端子与连接到所述FFT-DRAM的漏极的位线相连接； 当所述FFT-DRAM关断时，所述沟槽电容器的第一端子与连接到所述FFT-DRAM的漏极的位线相隔离。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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