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龙图腾网获悉上海传芯半导体有限公司申请的专利曝光光线频率增强装置、光掩模及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114995068B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210649237.7，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权曝光光线频率增强装置、光掩模及其制备方法是由季明华;黄早红;任新平;林岳明设计研发完成，并于2022-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本曝光光线频率增强装置、光掩模及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种曝光光线频率增强装置、光掩模及其制备方法，装置包括透光基板及表面等离子激元层，表面等离子激元层包括多个纳米单元结构，多个所述纳米单元结构分别在所述表面等离子激元层平面的第一方向和第二方向上设置为可与所述曝光光线的波长匹配而产生和频效应的周期性间隔排布，所述和频效应可形成穿过所述透光基板的和频光，和频光的功率占穿过所述表面等离子激元层的曝光光线的总功率的比例小于或等于30％。曝光光线含有30％以内的频率更高的和频光，可在提高投影式光刻工艺的分辨率和对比度，且大量使用的还是原频率光源，基本不用调整光刻组件，能量损失较少。

本发明授权曝光光线频率增强装置、光掩模及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于投影式光刻的曝光光线频率增强装置，其特征在于，所述频率增强装置包括： 透光基板，包括相对的第一面和第二面； 表面等离子激元层，位于所述透光基板的第一面，所述表面等离子激元层包括多个纳米单元结构，多个所述纳米单元结构分别在所述表面等离子激元层平面的第一方向和第二方向上设置为可与所述曝光光线的波长匹配而产生和频效应的周期性间隔排布，所述和频效应可形成穿过所述透光基板的和频光，所述和频光的功率占穿过所述表面等离子激元层的曝光光线的总功率的比例小于或等于30%； 所述表面等离子激元层可在所述曝光光线的作用下产生表面等离子体激元，一部分所述表面等离子体激元穿过所述表面等离子激元层以增强近场光线的场强，另一部分所述表面等离子体激元的近场基于所述周期性间隔排布可与平行于表面第一方向极化的第一光波和第二方向极化的第二光波共振匹配而产生和频效应形成垂直于所述表面等离子激元层的第三光波，所述第三光波为所述和频光； 第一方向排布的所述纳米单元结构的周期尺寸为所述曝光光线波长的1至5的整数倍，使第一方向的共振频率是第一光波频率的1~0.2倍，第二方向排布的所述纳米单元结构的周期尺寸为所述曝光光线波长的1至5的整数倍，使第二方向的共振频率是第二光波频率的1~0.2倍； 所述第一方向的共振频率f1和波长λ1、所述第二方向的共振频率f2和波长λ2、所述第三光波的频率f3和波长λ3满足以下公式：f3=f1+f2，λ3=λ1*λ2λ1+λ2。

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