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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050691B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110255199.2，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其形成方法是由金吉松设计研发完成，并于2021-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在沟槽的侧壁和底部形成含硫的金属层；形成含硫金属层的步骤包括：在含硫氛围中，在沟槽的侧壁和底部上形成金属层；或者，对沟槽的底部和侧壁进行表面处理，适于使沟槽的底部和侧壁含有硫元素；在表面处理后的沟槽的侧壁和底部形成金属层；对金属层进行掺硫处理；或者，形成含硫金属层包括多次进行的沉积处理循环，沉积处理包括：在沟槽的侧壁和底部形成子金属层；对子金属层进行掺硫处理；对含硫金属层进行热处理，使金属层转化为金属硫化物，作为扩散阻挡层。本发明实施例有利于使得在热处理过程中金属层与硫元素充分反应，保证金属层能够完全转化为金属硫化物，提高扩散阻挡层的形成质量。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供介质层，所述介质层中形成有沟槽； 在所述沟槽的侧壁和底部上形成含硫的金属层； 其中，形成所述含硫的金属层的步骤包括：在含硫氛围中，在所述沟槽的侧壁和底部上形成金属层；或者，形成所述含硫的金属层的步骤包括：对所述沟槽的底部和侧壁进行表面处理，适于使所述沟槽的底部和侧壁含有硫元素；在进行表面处理后的所述沟槽的侧壁和底部上形成金属层；对所述金属层进行掺硫处理，所述对所述沟槽的底部和侧壁进行表面处理，包括：在含硫氛围中，对所述沟槽的底部和侧壁进行等离子体处理；或者，形成所述含硫的金属层的步骤包括多次进行的沉积处理循环，一次所述沉积处理包括：在所述沟槽的侧壁和底部上形成子金属层；对所述子金属层进行掺硫处理； 对所述含硫的金属层进行热处理，使所述含硫的金属层转化为扩散阻挡层，所述扩散阻挡层的材料为金属硫化物； 在所述扩散阻挡层上形成填充所述沟槽的互连结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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