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龙图腾网获悉上海精测半导体技术有限公司申请的专利一种复合材料层的参数拟合计算方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115060661B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210583699.3，技术领域涉及：G01N21/25；该发明授权一种复合材料层的参数拟合计算方法及系统是由刘亚鼎;石雅婷;郭春付;李伟奇;张传维设计研发完成，并于2022-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种复合材料层的参数拟合计算方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种复合材料层的参数拟合计算方法及系统，方法包括：a、获取待测样品的测量光谱，待测样品包括复合材料层；b、根据复合材料层的参数，基于有效介质EMA通用模型拟合计算待测样品的拟合光谱；c、若拟合光谱达到所述测量光谱的精度要求，则获取复合材料层的参数；若拟合光谱未达到测量光谱的精度要求，则调整复合材料层的参数，重复执行b和c进行迭代，直到拟合光谱达到所述测量光谱的精度要求，获取复合材料层的参数。本发明构建有效介质EMA通用模型，可以通过调整复合材料层的参数，来迭代计算待测样品的拟合光谱，调整参数时不因为某一种或几种具体模型的限制，可适用于包含任何复合材料层的待测样品参数的获取。

本发明授权一种复合材料层的参数拟合计算方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种复合材料层的参数拟合计算方法，其特征在于，包括： a、获取待测样品的测量光谱，所述待测样品包括复合材料层； b、根据所述复合材料层的参数，基于有效介质EMA通用模型拟合计算所述待测样品的拟合光谱； c、若所述拟合光谱达到所述测量光谱的精度要求，则获取所述复合材料层的参数；若所述拟合光谱未达到所述测量光谱的精度要求，则调整所述复合材料层的参数，重复执行b和c进行迭代，直到所述拟合光谱达到所述测量光谱的精度要求，获取所述复合材料层的参数； 其中，所述复合材料层的参数至少包括所述复合材料层的材料成分数量、主要材料成分介电常数、每一种材料成分的介电常数、每一种材料成分的体积占比、所述复合材料层的厚度和所述复合材料层的退极化因子，所述退极化因子表征所述复合材料层的形状； 所述b中根据所述复合材料层的参数，基于有效介质EMA通用模型拟合所述待测样品的拟合光谱，包括： 根据所述复合材料层的材料成分数量、主要材料成分介电常数、每一种材料成分的介电常数、每一种材料成分的体积占比和所述复合材料层的退极化因子，基于有效介质EMA通用模型拟合所述复合材料层的有效介电常数，获得所述复合材料层的拟合有效介电常数； 根据所述复合材料层的拟合有效介电常数和所述复合材料层的拟合厚度，计算所述待测样品的拟合光谱。

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